3inch 76.2mm 4H-Semi SiC субстрат вафины Кремний Карбид Ярым хурлаучы SiC ваферлары

3 дюймлы 4H ярым изоляцияләнгән SiC (кремний карбид) субстрат ваферлары еш кулланыла торган ярымүткәргеч материал. 4H тетрахехедраль кристалл структурасын күрсәтә. Ярым изоляция субстратның югары каршылык характеристикасына ия булуын һәм агым агымыннан бераз изоляцияләнүен аңлата.

Мондый субстрат ваферлар түбәндәге үзенчәлекләргә ия: югары җылылык үткәрүчәнлеге, түбән үткәргеч югалту, югары температурага каршы тору, искиткеч механик һәм химик тотрыклылык. Кремний карбидының зур энергия аермасы булганга һәм югары температурага һәм югары электр кыры шартларына каршы тора алганга, 4H-SiC ярым изоляцияләнгән ваферлар электр электроникасы һәм радио ешлыгы (RF) җайланмаларында киң кулланыла.

4H-SiC ярым изоляцияләнгән ваферларның төп кушымталары:

1 - Энергия электроникасы: 4H-SiC ваферлары MOSFETлар (металл оксиды ярымүткәргеч кыр эффект транзисторлары), IGBTлар (изоляцияләнгән капка ике яклы транзисторлар) һәм Шоттки диодлары кебек электр күчергеч җайланмалар җитештерү өчен кулланылырга мөмкин. Бу җайланмалар югары көчәнештә һәм югары температурада түбән үткәргеч һәм күчү югалтуларына ия һәм югары эффективлык һәм ышанычлылык тәкъдим итә.

2 - Радио ешлыгы (RF) җайланмалары: 4H-SiC ярым изоляцияләнгән ваферлар югары көч, югары ешлыктагы RF көч көчәйткечләре, чип резисторлары, фильтрлар һәм башка җайланмалар ясау өчен кулланылырга мөмкин. Кремний карбидының югары ешлыклы эшләнеше һәм җылылык тотрыклылыгы зуррак, электрон туендыру тизлеге һәм югары җылылык үткәрүчәнлеге аркасында.

3 - Оптоэлектрон җайланмалар: 4H-SiC ярым изоляцияләнгән ваферлар югары көчле лазер диодлары, УВ яктылык детекторлары һәм оптоэлектрон интеграль схемалар җитештерү өчен кулланылырга мөмкин.

Базар юнәлеше буенча, 4H-SiC ярым изоляцияләнгән ваферларга сорау арта, электр электроникасы, RF һәм оптоэлектроника өлкәләре үсә. Бу кремний карбидының энергия эффективлыгы, электр машиналары, яңартыла торган энергия һәм элемтә кебек киң кулланылышка ия ​​булуы белән бәйле. Киләчәктә 4H-SiC ярым изоляцияләнгән ваферлар базары бик өметле булып кала һәм гадәти кремний материалларын төрле кушымталарда алыштырыр дип көтелә.