3inch Dia76.2mm SiC HPSI Prime Research һәм Dummy класс субстратлары
Кремний карбид субстратларын ике категориягә бүлеп була
Uctткәргеч субстрат: 15 ~ 30мΩ-см кремний карбид субстратының каршылыгын күрсәтә.Conductткәргеч кремний карбид субстратыннан үскән кремний карбид эпитаксиаль вафер алга таба яңа энергия машиналарында, фотоволтаикларда, акыллы челтәрләрдә һәм тимер юл транспортында киң кулланыла торган электр җайланмаларына ясалырга мөмкин.
Ярым изоляцион субстрат 100000Ω см кремний карбид субстратыннан югары каршылыкны аңлата, нигездә галлий нитрид микродулкынлы радио ешлык җайланмалары җитештерүдә кулланыла, чыбыксыз элемтә өлкәсе.
Бу чыбыксыз элемтә өлкәсендә төп компонент.
Кремний карбид үткәргеч һәм ярым изоляцион субстратлар киң электрон җайланмаларда һәм электр җайланмаларында кулланыла, шул исәптән түбәндәгеләр белән генә чикләнми:
Powerгары көчле ярымүткәргеч җайланмалар (үткәргеч): Кремний карбид субстратлары югары ватылу кыры көченә һәм җылылык үткәрүчәнлегенә ия, һәм алар югары көчле транзисторлар, диодлар һәм башка җайланмалар җитештерү өчен яраклы.
RF электрон җайланмалары (ярым изоляцияләнгән): Кремний Карбид субстратлары югары күчү тизлегенә һәм көч чыдамлыгына ия, RF көчәйткечләр, микродулкынлы җайланмалар һәм югары ешлыклы ачкычлар кебек кушымталар өчен яраклы.
Оптоэлектрон җайланмалар (ярым изоляцияләнгән): Кремний карбид субстратлары киң энергия аермасы һәм югары җылылык тотрыклылыгы, фотодиодлар, кояш күзәнәкләре һәм лазер диодлары һәм башка җайланмалар ясау өчен яраклы.
Температура сенсорлары (үткәргеч): Кремний карбид субстратлары югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм җылылык тотрыклылыгы, югары температуралы сенсорлар һәм температураны үлчәү кораллары җитештерү өчен яраклы.
Кремний карбид үткәргеч һәм ярым изоляцион субстратларны җитештерү процессы һәм куллану киң кырларга һәм потенциалга ия, бу электрон җайланмалар һәм электр җайланмалары үсеше өчен яңа мөмкинлекләр бирә.
Диаграмма
