4H-N 8 дюймлы SiC субстрат пластинасы, кремний карбиды манеке, 500 мкм калынлыктагы тикшеренү классы

Кыскача тасвирлама:

Кремний карбид пластиналары электр диодлары, MOSFETлар, югары куәтле микродулкынлы җайланмалар һәм RF транзисторлары кебек электрон җайланмаларда кулланыла, бу энергияне нәтиҗәле үзгәртү һәм энергия белән идарә итү мөмкинлеген бирә. SiC пластиналары һәм субстратлары шулай ук ​​автомобиль электроникасында, аэрокосмик системаларда һәм яңартыла торган энергия технологияләрендә дә кулланыла.


Үзенчәлекләр

Кремний карбид пластиналарын һәм SiC субстратларын ничек сайларга?

Кремний карбиды (SiC) пластиналарын һәм субстратларын сайлаганда, берничә факторны исәпкә алырга кирәк. Менә берничә мөһим критерий:

Материал төре: Сезнең куллану өчен яраклы SiC материалы төрен билгеләгез, мәсәлән, 4H-SiC яки 6H-SiC. Иң еш кулланыла торган кристалл структурасы - 4H-SiC.

Допинг төре: Сезгә допингланганмы яки допингланмаганмы, икәнен хәл итегез. Гадәти допинг төрләре - N-тип (n-допингланган) яки P-тип (p-допингланган), сезнең конкрет таләпләрегезгә карап.

Кристалл сыйфаты: SiC пластиналарының яки ​​субстратларының кристалл сыйфатын бәяләгез. Теләгән сыйфат кимчелекләр саны, кристаллографик юнәлеш һәм өслекнең тигезсезлеге кебек параметрлар белән билгеләнә.

Вафли диаметры: Кулланылышыгызга нигезләнеп, тиешле вафли зурлыгын сайлагыз. Гадәти зурлыклар 2 дюйм, 3 дюйм, 4 дюйм һәм 6 дюйм тәшкил итә. Диаметры зуррак булган саен, һәр вафлидан күбрәк нәтиҗә алырга мөмкин.

Калынлык: SiC пластиналарының яки ​​субстратларының теләгән калынлыгын исәпкә алыгыз. Гадәти калынлык вариантлары берничә микрометрдан алып берничә йөз микрометрга кадәр була.

Ориентация: Кушымтагыз таләпләренә туры килә торган кристаллографик юнәлешне билгеләгез. Гадәти юнәлешләргә 4H-SiC өчен (0001) һәм 6H-SiC өчен (0001) яки (0001̅) керә.

Өслекнең бизәлеше: SiC пластиналарының яки ​​нигезләренең өслек бизәлешен бәяләгез. Өслек шома, ялтыратылган һәм тырналулар яки пычраткычларсыз булырга тиеш.

Тәэмин итүченең абруе: Югары сыйфатлы SiC пластиналары һәм субстратлары җитештерүдә зур тәҗрибәсе булган абруйлы тәэмин итүчене сайлагыз. Җитештерү мөмкинлекләре, сыйфат контроле һәм клиентларның бәяләмәләре кебек факторларны исәпкә алыгыз.

Бәясе: Чыгымнарны исәпкә алыгыз, шул исәптән пластина яки субстрат бәясен һәм өстәмә көйләү чыгымнарын да.

Сайланган SiC пластиналары һәм субстратлары сезнең куллану таләпләренә туры килүен тәэмин итү өчен, бу факторларны җентекләп бәяләү һәм тармак белгечләре яки тәэмин итүчеләр белән киңәшләшү мөһим.

җентекле схема

4H-N 8 дюймлы SiC субстрат пластинасы, кремний карбиды манеке, 500 мкм калынлыктагы тикшеренү классы (1)
4H-N 8 дюймлы SiC субстрат пластинасы, кремний карбиды манеке, 500 мкм калынлыктагы тикшеренү классы (2)
4H-N 8 дюймлы SiC субстрат пластинасы, кремний карбиды манеке, 500 мкм калынлыктагы тикшеренү классы (3)
4H-N 8 дюймлы SiC субстрат пластинасы, кремний карбиды манеке, 500 мкм калынлыктагы тикшеренү классы (4)

  • Алдагысы:
  • Киләсе:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез