4H-N 8 дюймлы SiC субстрат вафин Кремний Карбид Думми 500 класс калынлыктагы тикшеренү дәрәҗәсе

Кремний карбид (SiC) ваферларын һәм субстратларын сайлаганда, берничә факторны исәпкә алырга кирәк.Менә кайбер мөһим критерийлар:

Материал төре: 4H-SiC яки 6H-SiC кебек кушымтагызга туры килгән SiC материалының төрен билгеләгез.Иң еш кулланыла торган кристалл структурасы - 4H-SiC.

Допинг тибы: Сезгә кабатланган яки ачылмаган SiC субстрат кирәкме-юкмы икәнен карар итегез.Гомуми допинг төрләре - сезнең таләпләрегезгә карап, N-тип (n-doped) яки P-type (p-doped).

Бәллүр сыйфаты: SiC ваферларының яки ​​субстратларның кристалл сыйфатын бәяләгез.Кирәкле сыйфат җитешсезлекләр саны, кристаллографик юнәлеш, өслекнең тупаслыгы кебек параметрлар белән билгеләнә.

Вафер диаметры: Сезнең кушымта нигезендә тиешле вафин размерын сайлагыз.Гомуми зурлыкларга 2 дюйм, 3 дюйм, 4 дюйм һәм 6 дюйм керә.Диаметр зуррак булса, сез ваферга күбрәк уңыш ала аласыз.

Калынлык: SiC ваферларының яки ​​субстратларның кирәкле калынлыгын карагыз.Типик калынлык вариантлары берничә микрометрдан берничә йөз микрометрга кадәр.

Ориентация: Сезнең кушымта таләпләренә туры килгән кристаллографик юнәлешне билгеләгез.Гомуми юнәлешләр 4H-SiC өчен (0001) һәм (0001) яки 6H-SiC өчен (0001̅).

Surface Finish: SiC ваферларының яки ​​субстратларның бетүен бәяләгез.Surfaceир өслеге шома, бизәлгән, тырмалардан һәм пычраткычлардан азат булырга тиеш.

Тапшыручының абруе: югары сыйфатлы SiC ваферлары һәм субстратлар җитештерүдә зур тәҗрибәсе булган абруйлы тәэмин итүчене сайлагыз.Manufacturingитештерү мөмкинлекләре, сыйфат белән идарә итү, клиентларны карау кебек факторларны карагыз.

Кыйммәт: ваферга яки субстратка бәяне һәм өстәмә көйләү чыгымнарын кертеп, чыгым нәтиҗәләрен карагыз.

Бу факторларны җентекләп бәяләү һәм сайланган SiC ваферлары һәм субстратлары сезнең заявка таләпләренә туры килүен тәэмин итү өчен тармак белгечләре яки тәэмин итүчеләр белән киңәшләшү мөһим.