4H-ярым HPSI 2inch SiC субстрат вафер җитештерү Dummy тикшеренү дәрәҗәсе

Кремний карбид субстраты, нигездә, үткәргеч һәм ярым изоляцион төргә бүленә, үткәргеч кремний карбид субстратына n тибындагы субстратка, нигездә, эпитаксиаль GaN нигезендәге LED һәм башка оптоэлектрон җайланмалар, SiC нигезендәге электрон җайланмалар һ.б., һәм ярым. изоляцион SiC кремний карбид субстраты, нигездә, GaN югары көчле радио ешлык җайланмаларын эпитаксиаль җитештерү өчен кулланыла. Моннан тыш, югары чисталык ярым изоляция HPSI һәм SI ярым изоляциясе төрле, югары чисталык ярым изоляция ташучы концентрациясе 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015 / см3 диапазоны, югары электрон хәрәкәтчәнлеге белән; ярым изоляция - югары каршылыклы материаллар, каршылык бик югары, гадәттә микродулкынлы җайланма субстратлары өчен, үткәргеч булмаган.

Ярым изоляцион Кремний Карбид субстрат таблицасы SiC ваферы

SiC кристалл структурасы аның физикасын билгели, Si һәм GaAs белән чагыштырганда, SiC физик үзлекләр өчен; тыелган полоса киңлеге зур, Si белән чагыштырганда 3 тапкырга якын, җайланманың озак вакытлы ышанычлылыгы астында югары температурада эшләвен тәэмин итү; ватылу кырының көче югары, Si белән чагыштырганда 1O тапкыр, җайланманың көчәнеш сыйдырышлыгын тәэмин итү, җайланманың көчәнеш бәясен яхшырту; туендыру электрон ставкасы зур, Si белән чагыштырганда 2 тапкыр, җайланманың ешлыгын һәм көченең тыгызлыгын арттыру өчен; җылылык үткәрүчәнлеге югары, Si-тан күбрәк, җылылык үткәрүчәнлеге югары, җылылык үткәрүчәнлеге югары, җылылык үткәрүчәнлеге югары, җылылык үткәрүчәнлеге югары, Si-тан күбрәк, җылылык үткәрүчәнлеге югары, җылылык үткәрүчәнлеге югары. Siгары җылылык үткәрүчәнлеге, Si белән чагыштырганда 3 тапкырга күбрәк, җайланманың җылылык тарату сыйфатын арттыру һәм җайланманың миниатюризациясен тормышка ашыру.