4H-ярым HPSI 2 дюймлы SiC субстрат пластинасы җитештерү өчен манекен тикшеренү дәрәҗәсе

Кремний карбид субстраты, нигездә, үткәргеч һәм ярымизоляцияле төрләргә бүленә, үткәргеч кремний карбид субстратыннан n-типтагы субстратка кадәр, нигездә, эпитаксиаль GaN нигезендәге LED һәм башка оптоэлектрон җайланмалар, SiC нигезендәге көч электрон җайланмалары һ.б. өчен кулланыла, ә ярымизоляцияле SiC кремний карбид субстраты, нигездә, GaN югары куәтле радиоешлык җайланмаларын эпитаксиаль җитештерү өчен кулланыла. Моннан тыш, югары чисталыклы ярымизоляция HPSI һәм SI ярымизоляцияләре төрле, югары чисталыклы ярымизоляция йөртүче концентрациясе 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015 / см3 диапазонында, югары электрон хәрәкәтчәнлегенә ия; ярымизоляция - югары каршылыклы материал, каршылыгы бик югары, гадәттә микродулкынлы җайланма субстратлары өчен кулланыла, үткәргеч түгел.

Ярымизоляцияле кремний карбиды субстрат бите SiC пластинасы

SiC кристалл структурасы аның физик үзенчәлекләрен билгели, Si һәм GaAs белән чагыштырганда, SiC физик үзлекләренә ия; тыелган полоса киңлеге зур, Si'дан 3 тапкырга якын, бу җайланманың югары температурада озак вакытлы ышанычлылык астында эшләвен тәэмин итә; җимерелү кыры көче югары, Si'дан 10 тапкырга зур, бу җайланманың көчәнеш сыйдырышлыгын тәэмин итә, җайланманың көчәнеш кыйммәтен яхшырта; туендырылган электрон тизлеге зур, Si'дан 2 тапкырга зур, бу җайланманың ешлыгын һәм куәт тыгызлыгын арттыра; җылылык үткәрүчәнлеге югары, Si'дан югары, җылылык үткәрүчәнлеге югары, җылылык үткәрүчәнлеге югары, җылылык үткәрүчәнлеге югары, җылылык үткәрүчәнлеге югары, Si'дан югары, җылылык үткәрүчәнлеге югары, җылылык үткәрүчәнлеге югары, җылылык үткәрүчәнлеге югары. Югары җылылык үткәрүчәнлеге, Si'дан 3 тапкырдан артык, бу җайланманың җылылык тарату сәләтен арттыра һәм җайланманың миниатюризациясен гамәлгә ашыра.