6 дюйм үткәргеч бер кристалл SiC поликристалл SiC композицион субстрат Диаметры 150 мм P тип N тибында
Техник параметрлар
| Размер: | 6 дюйм |
| Диаметр: | 150 мм |
| Калынлык: | 400-500 мм |
| Монокристалл SiC кино параметрлары | |
| Политип: | 4H-SiC яки 6H-SiC |
| Допинг концентрациясе: | 1 × 10¹⁴ - 1 × 10¹⁸ см⁻³ |
| Калынлык: | 5-20 мм |
| Таблицага каршы тору: | 10-1000 Ω / кв |
| Электрон хәрәкәт: | 800-1200 см² / В. |
| Тишек хәрәкәте: | 100-300 см² / В. |
| Поликристалл SiC буфер катлам параметрлары | |
| Калынлык: | 50-300 мм |
| Rылылык үткәрүчәнлеге: | 150-300 Ватт / м · К. |
| Монокристалл SiC субстрат параметрлары | |
| Политип: | 4H-SiC яки 6H-SiC |
| Допинг концентрациясе: | 1 × 10¹⁴ - 1 × 10¹⁸ см⁻³ |
| Калынлык: | 300-500 мм |
| Ашлык күләме: | > 1 мм |
| Faceир өсте тупаслыгы: | <0,3 мм RMS |
| Механик һәм электр үзенчәлекләре | |
| Каты: | 9-10 Мох |
| Компрессив көч: | 3-4 GPa |
| Керү көче: | 0.3-0.5 GPa |
| Аеру кыры көче: | > 2 МВ / см |
| Гомуми доза толерантлыгы: | > 10 Мрад |
| Бердәнбер вакыйга эффектына каршы тору: | > 100 МеВ · см² / мг |
| Rылылык үткәрүчәнлеге: | 150-380 Вт / м · К. |
| Эш температурасы диапазоны: | -55 - 600 ° C. |
Төп характеристика
Поликристалл SiC композицион субстратындагы 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC материаль структура һәм эшнең уникаль балансын тәкъдим итә, бу аны сәнәгать мохитен таләп итү өчен яраклы итә:
1.Кост-эффективлык: поликристалл SiC базасы тулы монокристалл SiC белән чагыштырганда чыгымнарны сизелерлек киметә, ә монокристалл SiC актив катламы җайланма дәрәҗәсен тәэмин итә, чыгымга сизгер кушымталар өчен идеаль.
2. Электрик үзенчәлекләр: Монокристалл SiC катламы югары йөртүченең хәрәкәтчәнлеген күрсәтә (> 500 см² / В · с) һәм түбән җитешсезлек тыгызлыгы, югары ешлыклы һәм югары көчле җайланма эшләвен тәэмин итә.
3. -гары температураның тотрыклылыгы: SiC-ның югары температурага каршы торуы (> 600 ° C) композит субстратның экстремаль шартларда тотрыклы булуын тәэмин итә, аны электр машиналары һәм сәнәгать двигательләре өчен яраклы итә.
4,6 дюймлы стандартлаштырылган вафер размеры: традицион 4 дюймлы SiC субстратлары белән чагыштырганда, 6 дюймлы формат чип җитештерүне 30% тан арттыра, җайланма бәясен киметә.
5.Кондуктив дизайн: Алдан ясалган N-тип яки P тибындагы катламнар җайланма җитештерүдә ион имплантация адымнарын минимальләштерәләр, җитештерү нәтиҗәлелеген һәм уңышын күтәрәләр.
6. Өстәмә җылылык белән идарә итү: поликристалл SiC базасының җылылык үткәрүчәнлеге (~ 120 Вт / м · К) монокристалл SiCныкына якынлаша, югары көчле җайланмаларда җылылык тарату проблемаларын нәтиҗәле чишә.
Бу характеристикалар 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC поликристалл SiC композит субстратында яңартыла торган энергия, тимер юл транспорты, аэрокосмос кебек тармаклар өчен көндәшлек чишелеше итеп урнаштыралар.
Беренчел кушымталар
Поликристалл SiC композицион субстратында 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC берничә зур таләп өлкәсендә уңышлы урнаштырылган:
1.Электрик машиналар энергиясе: югары көчәнешле SiC MOSFET һәм диодларда инвертер эффективлыгын арттыру һәм батарея диапазонын киңәйтү өчен кулланыла (мәсәлән, Тесла, BYD модельләре).
2.Сәнәгать двигательләре: югары температурада, югары күчүчән ешлыклы электр модулларын эшли, авыр техника һәм җил турбиналарында энергия куллануны киметә.
3.Фотовольтаик инвертерлар: SiC җайланмалары кояш конверсия эффективлыгын яхшырта (> 99%), ә составлы субстрат система чыгымнарын тагын да киметә.
4. Раил Транспорты: speedгары тизлекле тимер юл һәм метро системалары өчен тарту конвертерларында кулланыла, югары көчәнешкә каршы тору (> 1700В) һәм компакт форма факторлары тәкъдим ителә.
5.Аэрокосмос: спутник электр системалары һәм самолет двигательләре белән идарә итү схемалары өчен идеаль, экстремаль температурага һәм нурланышка каршы тора ала.
Практик ясалышта поликристалл SiC композицион субстратындагы 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC стандарт SiC җайланмалары процессларына тулысынча туры килә (мәсәлән, литография, эфир), өстәмә капитал салуны таләп итми.
XKH хезмәтләре
XKH поликристалл SiC композицион субстратында 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC өчен комплекслы ярдәм күрсәтә: R&D массакүләм җитештерүгә кадәр:
1.Костомизация: көйләнә торган монокристалл катлам калынлыгы (5–100 мм), допинг концентрациясе (1e15–1e19 см⁻³), һәм кристалл ориентациясе (4H / 6H-SiC) төрле җайланма таләпләренә туры килә.
2. Вафер эшкәртү: 6 дюймлы субстратларны плагин һәм уйнау интеграциясе өчен арткы нечкәлек һәм металлизация хезмәтләре белән тәэмин итү.
3.Техник тикшерү: материаль квалификацияне тизләтү өчен XRD кристалллыгына анализ, зал эффектын сынау, җылылык каршылыгын үлчәү керә.
4.Рапид прототиплау: үсеш циклын тизләтү өчен тикшеренү учреждениеләре өчен 2 - 4 дюймлы үрнәкләр (шул ук процесс).
5. Уңышсыз анализ һәм оптимизация: проблемаларны эшкәртү өчен материал дәрәҗәсендәге карарлар (мәсәлән, эпитаксиаль катлам җитешсезлекләре).
Безнең бурычыбыз - поликристалл SiC композит субстратында 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC булдыру, SiC электр электроникасы өчен өстенлекле чыгым чишелеше, прототиптан алып күләм җитештерүгә кадәр ярдәм күрсәтү.
Йомгаклау
Поликристалл SiC композицион субстратында 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC инновацион моно / поликристалл гибрид структурасы ярдәмендә эш һәм бәя арасындагы уңыш балансына ирешә. Электр машиналары күбәйгәндә һәм Сәнәгать 4.0 алга киткәндә, бу субстрат киләсе буын электр электроникасы өчен ышанычлы материаль нигез бирә. XKH SiC технологиясенең потенциалын алга таба өйрәнү өчен хезмәттәшлекне хуплый.
