English

6 дюймлы поликристалл SiC композит субстратында үткәргеч монокристалл SiC Диаметры 150 мм P тибы N тибы

6 дюймлы поликристалл SiC композит субстратында үткәргеч монокристалл SiC Диаметры 150 мм P тибындагы N тибындагы рәсем
  • 6 дюймлы поликристалл SiC композит субстратында үткәргеч монокристалл SiC Диаметры 150 мм P тибы N тибы
  • 6 дюймлы поликристалл SiC композит субстратында үткәргеч монокристалл SiC Диаметры 150 мм P тибы N тибы

Кыскача тасвирлама:

Поликристалл SiC композит субстратындагы 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC югары куәтле, югары температуралы һәм югары ешлыклы электрон җайланмалар өчен эшләнгән инновацион кремний карбиды (SiC) материал эремәсен тәкъдим итә. Бу субстрат махсуслаштырылган процесслар аша поликристалл SiC нигезенә тоташтырылган монокристалл SiC актив катламына ия, ул монокристалл SiC-ның югары электр үзлекләрен поликристалл SiC-ның бәя өстенлекләре белән берләштерә.
Гадәти тулы монокристалл SiC субстратлары белән чагыштырганда, поликристалл SiC композит субстратындагы 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC югары электрон хәрәкәтчәнлеген һәм югары вольтлы каршылыкны саклый, шул ук вакытта җитештерү чыгымнарын сизелерлек киметә. Аның 6 дюймлы (150 мм) пластина зурлыгы гамәлдәге ярымүткәргеч җитештерү линияләре белән туры килүчәнлекне тәэмин итә, масштаблы җитештерү мөмкинлеген бирә. Моннан тыш, үткәргеч конструкция көч җайланмаларын җитештерүдә (мәсәлән, MOSFETлар, диодлар) турыдан-туры кулланырга мөмкинлек бирә, өстәмә легирлау процессларына ихтыяҗны бетерә һәм җитештерү эш процессларын гадиләштерә.


Үзенчәлекләр

Техник параметрлар

Зурлык:

6 дюйм

Диаметры:

150 мм

Калынлыгы:

400-500 мкм

Монокристалл SiC пленка параметрлары

Политип:

4H-SiC яки 6H-SiC

Допинг концентрациясе:

1×10¹⁴ - 1×10¹⁸ см⁻³

Калынлыгы:

5-20 мкм

Капка каршылыгы:

10-1000 Ω/кв.м

Электроннарның хәрәкәтчәнлеге:

800-1200 см²/Vs

Тишек хәрәкәтчәнлеге:

100-300 см²/Vs

Поликристалл SiC буфер катламы параметрлары

Калынлыгы:

50-300 мкм

Җылылык үткәрүчәнлеге:

150-300 Вт/м·К

Монокристалл SiC субстрат параметрлары

Политип:

4H-SiC яки 6H-SiC

Допинг концентрациясе:

1×10¹⁴ - 1×10¹⁸ см⁻³

Калынлыгы:

300-500 мкм

Бөртек зурлыгы:

> 1 мм

Өслекнең тигезсезлеге:

< 0,3 мм RMS

Механик һәм электр үзенчәлекләре

Катылык:

9-10 Мох

Кысылу көче:

3-4 ГПа

Сузылу көче:

0,3-0,5 ГПа

Ватылу кыры көче:

> 2 МВ/см

Дозага тулы түземлелек:

> 10 Мрад

Бер вакыйга эффектына каршы тору:

> 100 МэВ·см²/мг

Җылылык үткәрүчәнлеге:

150-380 Вт/м·К

Эш температурасы диапазоны:

-55 дән 600°C га кадәр

 

Төп үзенчәлекләр

Поликристалл SiC композит субстратындагы 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC материал структурасы һәм эш сыйфаты арасында уникаль баланс тәкъдим итә, бу аны катлаулы сәнәгать мохите өчен яраклы итә:

1. Чыгымнарның нәтиҗәлелеге: Поликристалл SiC нигезе тулы монокристалл SiC белән чагыштырганда чыгымнарны сизелерлек киметә, ә монокристалл SiC актив катламы җайланма дәрәҗәсендәге эшчәнлекне тәэмин итә, бу чыгымнарга сизгер кушымталар өчен идеаль.

2. Гаҗәеп электр үзлекләре: Монокристалл SiC катламы югары йөртүче хәрәкәтчәнлеге (>500 см²/V·s) һәм түбән кимчелек тыгызлыгы күрсәтә, бу югары ешлыклы һәм югары куәтле җайланмалар эшләвен тәэмин итә.

3. Югары температура тотрыклылыгы: SiC'ның югары температурага (>600°C) каршылыгы композит нигезнең экстремаль шартларда да тотрыклы булып калуын тәэмин итә, бу аны электр транспорт чаралары һәм сәнәгать моторлары өчен яраклы итә.

4,6 дюймлы стандартлаштырылган пластина зурлыгы: Традицион 4 дюймлы SiC субстратлары белән чагыштырганда, 6 дюймлы формат чипның чыгышын 30% тан артыкка арттыра, бу җайланма берәмлеге чыгымнарын киметә.

5. Үткәргеч конструкция: Алдан легирланган N-тип яки P-тип катламнар җайланма җитештерүдә ион имплантациясе адымнарын минимальләштерә, җитештерү нәтиҗәлелеген һәм уңышын яхшырта.

6. Югары җылылык белән идарә итү: Поликристалл SiC нигезенең җылылык үткәрүчәнлеге (~120 Вт/м·К) монокристалл SiCга якыная, югары куәтле җайланмаларда җылылык тарату проблемаларын нәтиҗәле хәл итә.

Бу үзенчәлекләр поликристалл SiC композит субстратындагы 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiCны яңартыла торган энергия, тимер юл транспорты һәм аэрокосмик тармаклар өчен көндәшлеккә сәләтле чишелеш буларак билгели.

Төп кушымталар

Поликристалл SiC композит субстратындагы 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC берничә югары ихтыяҗлы өлкәдә уңышлы кулланылды:
1. Электр транспорт чараларының көч агрегатлары: югары вольтлы SiC MOSFETларында һәм диодларында инверторларның нәтиҗәлелеген арттыру һәм батарея диапазонын киңәйтү өчен кулланыла (мәсәлән, Tesla, BYD модельләрендә).

2. Сәнәгать моторлары җайланмалары: югары температуралы, югары ешлыклы көч модульләрен эшли, авыр техникада һәм җил турбиналарында энергия куллануны киметә.

3. Фотоэлектрик инверторлар: SiC җайланмалары кояш энергиясен үзгәртү нәтиҗәлелеген яхшырта (>99%), ә композит субстрат система чыгымнарын тагын да киметә.

4. Тимер юл транспорты: Югары тизлекле тимер юл һәм метро системалары өчен тарту көченә әйләндергечләрдә кулланыла, югары вольтлы каршылык (>1700В) һәм компакт форма факторлары тәкъдим итә.

5. Аэроскосмик: Спутник көч системалары һәм очкыч двигательләрен идарә итү схемалары өчен идеаль, экстремаль температураларга һәм радиациягә чыдам.

Гамәли җитештерүдә, поликристалл SiC композит субстратындагы 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC стандарт SiC җайланмалары процесслары белән (мәсәлән, литография, гравюра) тулысынча туры килә, өстәмә капитал салулар таләп итми.

XXKH хезмәтләре

XKH поликристалл SiC композит субстратында 6 дюймлы үткәрүчән монокристалл SiC өчен комплекс ярдәм күрсәтә, фәнни-тикшеренү һәм эшләнмәләрдән алып массакүләм җитештерүгә кадәр:

1. Үзгәртү: Төрле җайланма таләпләрен канәгатьләндерү өчен монокристалл катлам калынлыгын (5–100 мкм), легирлау концентрациясен (1e15–1e19 см⁻³) һәм кристалл ориентациясен (4H/6H-SiC) көйләргә мөмкин.

2. Вафли эшкәртү: "Подключать имеет" интеграциясе өчен арткы ягын сирәкләтү һәм металллаштыру хезмәтләре белән 6 дюймлы субстратларны күпләп китерү.

3. Техник валидация: материал квалификациясен тизләтү өчен рентген-рентген кристалллыгын анализлау, Холл эффектын сынау һәм җылылыкка каршы торуны үлчәүне үз эченә ала.

4. Тиз прототиплаштыру: тикшеренү учреждениеләре өчен үсеш циклларын тизләтү өчен 2 дән 4 дюймга кадәр үрнәкләр (шул ук процесс).

5. Җитешсезлекләрне анализлау һәм оптимизацияләү: Эшкәртү проблемалары өчен материал дәрәҗәсендәге чишелешләр (мәсәлән, эпитаксиаль катлам кимчелекләре).

Безнең максат - SiC көч электроникасы өчен өстенлекле чыгым-эффектив чишелеш буларак поликристалл SiC композит субстратында 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC булдыру, прототиплаштырудан алып күләмле җитештерүгә кадәр тулы ярдәм күрсәтү.

Йомгак

Поликристалл SiC композит субстратындагы 6 дюймлы үткәргеч монокристалл SiC үзенең инновацион моно/поликристалл гибрид структурасы ярдәмендә җитештерүчәнлек һәм бәя арасында зур баланска ирешә. Электромобильләр киң таралганда һәм Industry 4.0 алга киткәндә, бу субстрат киләсе буын электр электроникасы өчен ышанычлы материал нигезе булып тора. XKH SiC технологиясенең мөмкинлекләрен тагын да өйрәнү өчен хезмәттәшлекне хуплый.

Поликристалл SiC композит субстратында 6 дюймлы монокристалл SiC 2
Поликристалл SiC композит субстратында 6 дюймлы монокристалл SiC 3
  • Алдагысы:
  • Киләсе:

    • Бәйле продуктлар

    Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез
    Эзләү өчен Enter төймәсенә яки ябу өчен ESC төймәсенә басыгыз