3 дюйм диаметрлы 76.2 мм SiC субстратлары HPSI Prime Research һәм манекен дәрәҗәсендә
Кремний карбиды субстратларын ике категориягә бүлеп була
Үткәргеч субстрат: 15 ~ 30 мΩ-см кремний карбид субстратының каршылыгына карый. Үткәргеч кремний карбид субстратыннан үстерелгән кремний карбид эпитаксиаль пластинасын яңа энергия транспорт чараларында, фотоэлектрикларда, акыллы челтәрләрдә һәм тимер юл транспортында киң кулланыла торган көч җайланмаларына әйләндерергә мөмкин.
Ярымизоляцияле субстрат дип 100000Ω-см-1 дән югарырак каршылыклы кремний карбид субстраты атала, ул нигездә галлий нитриды, микродулкынлы радиоешлык җайланмалары җитештерүдә кулланыла, сымсыз элемтә өлкәсенең нигезе булып тора.
Бу сымсыз элемтә өлкәсендә төп компонент.
Кремний карбиды үткәргеч һәм ярымизоляцияле субстратлар электрон җайланмаларда һәм көч җайланмаларында киң кулланыла, шул исәптән түбәндәгеләр белән чикләнмичә:
Югары куәтле ярымүткәргеч җайланмалар (үткәргеч): Кремний карбиды субстратлары югары җимерелү кыры көченә һәм җылылык үткәрүчәнлегенә ия, һәм алар югары куәтле транзисторлар, диодлар һәм башка җайланмалар җитештерү өчен яраклы.
Радиоелемтәтле электрон җайланмалар (ярымизоляцияле): Кремний карбиды субстратлары югары күчерү тизлегенә һәм көчкә чыдамлылыкка ия, радиоелемтәтле көчәйткечләр, микродулкынлы җайланмалар һәм югары ешлыклы күчергечләр кебек кушымталар өчен яраклы.
Оптоэлектрон җайланмалар (ярымизоляцияле): Кремний карбид субстратлары киң энергия аермасына һәм югары термик тотрыклылыкка ия, фотодиодлар, кояш батареялары һәм лазер диодлары һәм башка җайланмалар ясау өчен яраклы.
Температура датчиклары (үткәргеч): Кремний карбид субстратлары югары җылылык үткәрүчәнлегенә һәм җылылык тотрыклылыгына ия, югары температура датчиклары һәм температура үлчәү кораллары җитештерү өчен яраклы.
Кремний карбиды үткәргеч һәм ярымизоляцияле субстратларны җитештерү процессы һәм куллану киң өлкәләргә һәм потенциалга ия, бу электрон җайланмалар һәм көч җайланмалары эшләү өчен яңа мөмкинлекләр бирә.
җентекле схема
