8 дюймлы SiC кремний карбид ваферы 4H-N тибы 0,5 мм җитештерү класслы тикшеренү класслы махсуслаштырылган субстрат

8 дюймлы SiC кремний карбид ваферы 4H-N тибы 0,5 мм җитештерү класслы тикшеренү классы махсус бизәлгән субстрат

Кыска тасвирлау:

Кремний карбид (SiC), шулай ук кремний карбид дип атала, SiC химик формуласы булган кремний һәм углерод булган ярымүткәргеч. SiC ярымүткәргеч электрон җайланмаларда кулланыла, алар югары температурада яки югары басымда эшлиләр, яисә икесе дә. SiC шулай ук мөһим LED компонентларының берсе, ул GaN җайланмаларын үстерү өчен гомуми субстрат, һәм ул шулай ук югары көчле LED өчен җылыткыч булып кулланылырга мөмкин.
8 дюймлы кремний карбид субстраты - ярымүткәргеч материалларның өченче буынының мөһим өлеше, ул югары ватылу кыры, югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары электрон туендыру тизлеге һ.б. характеристикасына ия, һәм югары температура ясау өчен яраклы, югары көчәнешле, һәм көчле электрон җайланмалар. Аның төп куллану өлкәләренә электр машиналары, тимер юл транзиты, югары көчәнешле электр тапшыру һәм трансформация, фотоволтаика, 5G элемтә, энергия саклау, аэрокосмик һәм ЯИ үзәк исәпләү көче мәгълүмат үзәкләре керә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

4 дюймлы кремний карбид субстратының 4H-N тибындагы төп үзенчәлекләре:

1. Микротубул тыгызлыгы: ≤ 0,1 / см² яки түбәнрәк, мәсәлән, микротубул тыгызлыгы кайбер продуктларда 0,05 / см²дан кимрәк кими.
2. Бәллүр форма коэффициенты: 4H-SiC кристалл формасы 100% ка җитә.
3. Каршылык: 0.014 ~ 0.028 Ω · см, яки 0.015-0.025 Ω · см арасында тотрыклырак.
4. faceир өслегенең тупаслыгы: CMP Si Face Ra≤0.12nm.
5. Калынлык: гадәттә 500,0 ± 25μm яки 350,0 ± 25μm.
6. Чакыру почмагы: калынлыгына карап A1 / A2 өчен 25 ± 5 ° яки 30 ± 5 °.
7. Гомуми дислокация тыгызлыгы: ≤3000 / см².
8. Metalир өстендәге металл пычрануы: ≤1E + 11 атом / см².
9. Бөкләү һәм вагон: ≤ 20μm һәм ≤2μm.
Бу характеристикалар 8 дюймлы кремний карбид субстратларын югары температура, югары ешлыклы һәм көчле электрон җайланмалар җитештерүдә мөһим куллану кыйммәтенә ия.

8инч кремний карбид ваферының берничә кушымтасы бар.

1. Cгары җылылык үткәрүчәнлеге, югары ватылу көчәнеше һәм SiC-ның югары электрон хәрәкәте аркасында, бу җайланмалар югары температурада, югары көчәнештә һәм югары ешлыклы мохиттә эффектив, югары җитештерүчәнлек көченә ирешә ала.

2. югары ешлыклар, һәм югары көч дәрәҗәләре.

3. Радио ешлыгы (RF) җайланмалары: SiC чиплары шулай ук RF көч көчәйткечләре, югары ешлыклы ачкычлар, RF сенсорлары һ.б. SiC-ның югары җылылык тотрыклылыгы, югары ешлыклы характеристикалары, аз югалтулары аны чыбыксыз элемтә һәм радар системалары кебек RF кушымталары өчен идеаль итә.

4. temperatureгары температуралы электроника: Аларның югары җылылык тотрыклылыгы һәм температураның эластиклыгы аркасында, SiC ваферлары югары температуралы шартларда эшләү өчен эшләнгән электрон продуктлар җитештерү өчен кулланыла, шул исәптән югары температуралы электр электроникасы, сенсорлар, контроллерлар.

8 дюймлы кремний карбид субстратының 4H-N тибындагы төп куллану юллары югары температура, югары ешлыклы һәм көчле электрон җайланмалар җитештерүне үз эченә ала, аеруча автомобиль электроникасы, кояш энергиясе, җил энергиясе җитештерү, электр тепловозлар, серверлар, көнкүреш техникасы, электр машиналары. Моннан тыш, SiC MOSFETs һәм Шоттки диодлары кебек җайланмалар ешлыкларны, кыска схема экспериментларын һәм инвертер кушымталарын күчерүдә, электр электроникасында куллануда яхшы күрсәткеч күрсәттеләр.

XKH клиент таләпләренә туры китереп төрле калынлык белән көйләнә ала. Төрле өслекнең тупаслыгы һәм бизәү ысуллары бар. Төрле допинг төрләре (мәсәлән, азот допингы) ярдәм итә. XKH клиентларның куллану процессындагы проблемаларны чишә алуларын тәэмин итү өчен техник ярдәм һәм консалтинг хезмәтләрен күрсәтә ала. 8 дюймлы кремний карбид субстратының чыгымнарны киметү һәм сыйдырышлыкны арттыру ягыннан зур өстенлекләре бар, бу 6 дюймлы субстрат белән чагыштырганда берәмлек чип бәясен якынча 50% ка киметә ала. Моннан тыш, 8 дюймлы субстратның калынлыгы арту эшкәртү вакытында геометрик тайпылышларны киметергә ярдәм итә, шуның белән уңышны яхшырта.