8 дюймлы SiC кремний карбиды пластинасы 4H-N тибындагы 0,5 мм җитештерү дәрәҗәсендәге тикшеренү дәрәҗәсендәге махсус ялтыратылган субстрат

Кыскача тасвирлама:

Кремний карбиды (SiC), шулай ук кремний карбиды буларак та билгеле, ул SiC химик формуласы булган кремний һәм углеродтан торган ярымүткәргеч. SiC югары температурада яки югары басымда, яки икесендә дә эшли торган ярымүткәргеч электрон җайланмаларда кулланыла. SiC шулай ук мөһим LED компонентларының берсе, ул GaN җайланмаларын үстерү өчен гадәти субстрат булып тора, һәм ул шулай ук югары куәтле LEDлар өчен җылылык тараткыч буларак та кулланылырга мөмкин.
8 дюймлы кремний карбиды субстраты өченче буын ярымүткәргеч материалларның мөһим өлеше булып тора, ул югары җимерелү кыры көчәнеше, югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары электрон туендыру тизлеге һ.б. үзенчәлекләренә ия һәм югары температуралы, югары вольтлы һәм югары куәтле электрон җайланмалар ясау өчен яраклы. Аның төп куллану өлкәләренә электр транспорты, тимер юл транзиты, югары вольтлы электр тапшыру һәм трансформацияләү, фотоэлектрик, 5G элемтәсе, энергия саклау, аэрокосмик һәм ясалма интеллект үзәк исәпләү көч мәгълүмат үзәкләре керә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

8 дюймлы 4H-N тибындагы кремний карбиды субстратының төп үзенчәлекләре түбәндәгеләрне үз эченә ала:

1. Микротүтүкчәләр тыгызлыгы: ≤ 0,1/см² яки аннан түбәнрәк, мәсәлән, кайбер продуктларда микротүтүкчәләр тыгызлыгы сизелерлек рәвештә 0,05/см² дан кимрәккә кадәр кими.
2. Кристалл форма нисбәте: 4H-SiC кристалл форма нисбәте 100% ка җитә.
3. Каршылык: 0,014~0,028 Ω·см, яки 0,015-0,025 Ω·см арасында тотрыклырак.
4. Өслекнең тигезсезлеге: CMP Si өслеге Ra≤0.12nm.
5. Калынлыгы: Гадәттә 500.0±25μm яки 350.0±25μm.
6. Фаза почмагы: калынлыгына карап, A1/A2 өчен 25±5° яки 30±5°.
7. Гомуми дислокация тыгызлыгы: ≤3000/см².
8. Металл өслегенең пычрануы: ≤1E+11 атом/см².
9. Бөкләү һәм кәкреләнү: ≤ 20μm һәм ≤2μm.
Бу үзенчәлекләр 8 дюймлы кремний карбиды субстратларын югары температуралы, югары ешлыклы һәм югары куәтле электрон җайланмалар җитештерүдә мөһим куллану әһәмиятенә ия итә.

8 дюймлы кремний карбид пластинасының берничә кулланылышы бар.

1. Көч җайланмалары: SiC пластиналары көчле MOSFETлар (металл-оксид-ярымүткәргеч кыр эффектлы транзисторлар), Шоттки диодлары һәм көч интеграциясе модульләре кебек көчле электрон җайланмалар җитештерүдә киң кулланыла. SiC-ның югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары җимерелү көчәнеше һәм югары электрон хәрәкәтчәнлеге аркасында, бу җайланмалар югары температуралы, югары көчәнешле һәм югары ешлыклы мохиттә нәтиҗәле, югары җитештерүчән көч үзгәртүгә ирешә ала.

2. Оптоэлектрон җайланмалар: SiC пластиналары фотодетекторлар, лазер диодлары, ультрафиолет чыганаклары һ.б. җитештерү өчен кулланыла торган оптоэлектрон җайланмаларда мөһим роль уйный. Кремний карбидының югары оптик һәм электрон үзлекләре аны, бигрәк тә югары температуралар, югары ешлыклар һәм югары куәт дәрәҗәләре таләп итә торган кушымталарда, сайлау материалы итә.

3. Радиоешлык (RF) җайланмалары: SiC чиплары шулай ук RF көчәйткечләре, югары ешлыклы ачкычлар, RF сенсорлары һәм башкалар кебек RF җайланмаларын җитештерү өчен дә кулланыла. SiC'ның югары термик тотрыклылыгы, югары ешлыклы характеристикалары һәм түбән югалтулар аны сымсыз элемтә һәм радар системалары кебек RF кушымталары өчен идеаль итә.

4. Югары температуралы электроника: Югары термик тотрыклылык һәм температура эластиклыгы аркасында, SiC пластиналары югары температуралы мохиттә эшләү өчен эшләнгән электрон продуктлар, шул исәптән югары температуралы электр электроникасы, сенсорлар һәм контроллерлар җитештерү өчен кулланыла.

8 дюймлы 4H-N тибындагы кремний карбиды субстратының төп куллану юлларына югары температуралы, югары ешлыклы һәм югары куәтле электрон җайланмалар җитештерү керә, бигрәк тә автомобиль электроникасы, кояш энергиясе, җил энергиясе җитештерү, электровозлар, серверлар, көнкүреш техникасы һәм электр транспорт чаралары өлкәләрендә. Моннан тыш, SiC MOSFET һәм Шоттки диодлары кебек җайланмалар ешлыкларны алыштыруда, кыска ялганыш экспериментларында һәм инвертор куллануда бик яхшы нәтиҗәләр күрсәттеләр, бу аларны электр электроникасында куллануны стимуллаштыра.

XKH клиент таләпләренә туры китереп төрле калынлыкларда көйләнергә мөмкин. Төрле өслек тигезсезлеге һәм ялтырату эшкәртүләре бар. Төрле легирлау төрләре (мәсәлән, азот легирлавы) хуплана. XKH клиентларга куллану процессында проблемаларны хәл итә алуларын тәэмин итү өчен техник ярдәм һәм консультация хезмәтләре күрсәтә ала. 8 дюймлы кремний карбиды субстраты чыгымнарны киметү һәм куәтне арттыру ягыннан зур өстенлекләргә ия, бу 6 дюймлы субстрат белән чагыштырганда җайланма чип бәясен якынча 50% ка киметергә мөмкин. Моннан тыш, 8 дюймлы субстратның калынлыгы арту эшкәртү вакытында геометрик тайпылышларны һәм кырыйларның кәкреләнүен киметергә ярдәм итә, шуның белән уңышны яхшырта.