Эпитаксиаль катлам
-
Сапфирда 200 мм 8инч ГаН Эпи-катлам вафер субстратында
-
4-дюймлы пыяладагы GaN: көйләнә торган пыяла вариантлары, шул исәптән JGS1, JGS2, BF33, һәм гади кварц
-
AlN-on-NPSS Ваферы: Highгары температура, югары көчле, һәм RF кушымталары өчен полилизацияләнмәгән сапфир субстратында югары җитештерүчән алюминий нитрид катламы.
-
Кремний ваферында Галлиум Нитрид 4инч 6инч үзенчәлекле Si субстрат юнәлеше, чыдамлылык, һәм N-тип / P тибындагы вариантлар
-
GaN-on-SiC эпитаксиаль ваферлар (100 мм, 150 мм) - берничә SiC субстрат вариантлары (4H-N, HPSI, 4H / 6H-P)
-
GaN-on-Diamond Wafers 4inch 6inch Epi калынлыгы (микрон) 0,6 ~ 2,5 яки югары ешлыклы кушымталар өчен көйләнгән.
-
Лазерлы дәвалау өчен югары көчле эпитаксиаль вафер субстрат галлий арсенид вафер көче лазер дулкын озынлыгы 905nm
-
InGaAs эпитаксиаль вафер субстрат PD Array фотодетектор массивлары LiDAR өчен кулланылырга мөмкин
-
2инч 3инч 4инч InP эпитаксиаль вафер субстрат җепсел оптик элемтә яки LiDAR өчен APD яктылык детекторы
-
Кремний-он-изолятор субстрат SOI ваферы микроэлектроника һәм радио ешлыгы өчен өч катлам
-
Кремнийдагы 8 дюймлы һәм 6 дюймлы SOI (кремний-он-изолятор) ваферларында SOI вафер изоляторы
-
6inch SiC Epitaxiy wafer N / P тибы көйләнгән