4-дюймлы пыяладагы GaN: көйләнә торган пыяла вариантлары, шул исәптән JGS1, JGS2, BF33, һәм гади кварц

Кыска тасвирлау:

БезнеңПыяла 4-дюймлы Wafers GaN көйләнә торган тәкъдим итәпыяла субстрат вариантлары, шул исәптән JGS1, JGS2, BF33, һәм гади кварц, оптоэлектроника, югары көчле җайланмалар һәм фотоник системаларда куллану өчен эшләнгән. Gallium Nitride (GaN) - киң температуралы ярымүткәргеч, ул югары температурада һәм югары ешлыклы шартларда яхшы эш күрсәтә. Пыяла субстратларда үскәндә, GaN гаҗәеп механик үзлекләр, көчәйтелгән ныклык, заманча кушымталар өчен чыгымлы эффектив производство тәкъдим итә. Бу ваферлар светофорларда, лазер диодларында, фотодетекторларда һәм югары җылылык һәм электр җитештерүчәнлеген таләп итүче башка оптоэлектрон җайланмаларда куллану өчен идеаль. Пыяла вариантлары белән, безнең GaN-пыяла ваферлары заманча электрон һәм фотоник тармакларның ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен күпкырлы һәм югары җитештерүчән карарлар тәкъдим итә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Featuresзенчәлекләр

Band киң тасма:GaN 3,4 eV тасмага ия, бу кремний кебек традицион ярымүткәргеч материаллар белән чагыштырганда, югары көчәнешле һәм югары температуралы шартларда югары эффективлык һәм зуррак чыдамлык өчен мөмкинлек бирә.
Glass Пыяла субстратлары:Төрле җылылык, механик һәм оптик эш таләпләрен канәгатьләндерү өчен JGS1, JGS2, BF33, һәм Гадәттәге Кварц пыяла вариантлары бар.
● rгары җылылык үткәрүчәнлеге:GaN-ның югары җылылык үткәрүчәнлеге җылылыкның эффектив таралуын тәэмин итә, бу ваферларны энергия куллану һәм югары җылылык тудыручы җайланмалар өчен идеаль итә.
● breakгары өзелү көчәнеше:GaNның югары көчәнешне саклап калу сәләте бу ваферларны электр транзисторлары һәм югары ешлыклы кушымталар өчен яраклы итә.
● Механик көч:Пыяла субстратлар, GaN үзлекләре белән берлектә, нык механик көч бирә, таләпчән мохиттә вафинның ныклыгын арттыра.
Manufact җитештерү чыгымнары киметелде:Традицион GaN-on-Кремний яки GaN-on-Sapphire ваферлары белән чагыштырганда, GaN-on-стакан - югары җитештерүчән җайланмаларның масштаблы производствосы өчен кыйбатрак чишелеш.
Opt Оптик үзенчәлекләр:Төрле пыяла вариантлары вафинның оптик характеристикаларын көйләргә мөмкинлек бирә, аны оптоэлектроника һәм фотоникада куллану өчен яраклы итә.

Техник үзенчәлекләр

Параметр	Кыйммәт
Вафер размеры	4 дюйм
Пыяла субстрат вариантлары	JGS1, JGS2, BF33, Гади Кварц
GaN катлам калынлыгы	100 нм - 5000 нм (көйләнә торган)
GaN Bandgap	3.4 eV (киң тасма)
Ватылу көчәнеше	1200В кадәр
Rылылык үткәрүчәнлеге	1,3 - 2,1 Вт / см · К.
Электрон хәрәкәт	2000 см² / В · с
Вафер өслеге тупаслыгы	RMS ~ 0.25 nm (AFM)
GaN таблицасына каршы тору	437,9 Ω · см²
Каршылык	Ярым изоляцион, N-тип, P-тип (көйләнә торган)
Оптик тапшыру	> Күренгән һәм UV дулкын озынлыгы өчен 80%
Вафер	<25 µm (максимум)
Faceир өсте	SSP (бер яклы бизәлгән)

Кушымталар

Оптоэлектроника:
Га-пыяла ваферлар киң кулланылаСветофорһәмлазер диодларыGaN-ның югары эффективлыгы һәм оптик эшләнеше аркасында. Кебек пыяла субстратларны сайлау сәләтеJGS1һәмJGS2оптик ачыклыкта үзләштерергә мөмкинлек бирә, аларны югары көчле, югары яктылык өчен идеаль итәзәңгәр / яшел яктырткычларһәмУВ лазерлары.

Фотоника:
Га-пыяла вафиннар өчен идеальфотодетекторлар, фотоник интеграль схемалар (PIC), һәмоптик сенсорлар. Аларның искиткеч яктылык тапшыру үзенчәлекләре һәм югары ешлыктагы кушымталарда югары тотрыклылык аларны яраклаштыраэлемтәһәмсенсор технологияләре.

Электроника:
Аларның киң полосасы һәм ватылу көчәнеше аркасында GaN-пыяла ваферлар кулланылаюгары көчле транзисторларһәмюгары ешлыктагы көч конверсиясе. GaNның югары көчәнешләрне һәм җылылык таратуны эшкәртү сәләте аны бик яхшы итәкөч көчәйткечләре, РФ электр транзисторлары, һәмЭлектроникасәнәгать һәм кулланучылар кушымталарында.

Freгары ешлыклы кушымталар:
Га-пыяла вафиннар бик яхшы күрсәтәләрэлектрон хәрәкәтһәм алар өчен идеаль итеп, югары күчү тизлегендә эшли алаюгары ешлыклы электр җайланмалары, микродулкынлы җайланмалар, һәмRF көчәйткечләр. Бу бик мөһим компонентлар5G элемтә системалары, радар системалары, һәмспутник элемтәсе.

Автомобиль кушымталары:
GaN-пыяла ваферлар шулай ук автомобиль электр системаларында кулланылаборттагы зарядлагычлар (ОБС)һәмDC-DC конвертерларыэлектр машиналары өчен. Ваферларның югары температураны һәм көчәнешне эшкәртү сәләте аларга электр электроникасында EV өчен кулланырга мөмкинлек бирә, зуррак эффективлык һәм ышанычлылык тәкъдим итә.

Медицина җайланмалары:
GaN үзенчәлекләре аны куллану өчен кызыклы материал итәмедицина картинасыһәмбиомедицина сенсорлары. Аның югары көчәнештә эшләве һәм нурланышка каршы торуы аны куллану өчен идеаль итәдиагностик җиһазларһәммедицина лазерлары.

Сораулар

1 нче сорау: Ни өчен GaN-on-стакан GaN-on-Кремний яки GaN-on-Sapphire белән чагыштырганда яхшы вариант?

А1:GaN-on-glass берничә өстенлек тәкъдим итә, шул исәптәнчыгым эффективлыгыһәмяхшырак җылылык белән идарә итү. GaN-on-Кремний һәм GaN-on-Sapphire искиткеч эш башкарса да, пыяла субстратлар арзанрак, җиңелрәк, оптик һәм механик үзенчәлекләр ягыннан көйләнә. Өстәвенә, GaN-пыяла ваферлар икесендә дә яхшы күрсәткеч бирәоптикһәмюгары көчле электрон кушымталар.

2 нче сорау: JGS1, JGS2, BF33 һәм Гади Кварц пыяла вариантлары арасында нинди аерма бар?

А2:

JGS1һәмJGS2алар белән билгеле булган югары сыйфатлы оптик пыяла субстратларюгары оптик ачыклыкһәмтүбән җылылык киңәюе, аларны фотоник һәм оптоэлектрон җайланмалар өчен идеаль итү.
BF33пыяла тәкъдимнәрюгарырак реактив индекскебек оптик җитештерүчәнлекне таләп иткән кушымталар өчен идеальлазер диодлары.
Гади кварцюгары тәэмин итәҗылылык тотрыклылыгыһәмнурланышка каршы тору, аны югары температуралы һәм кырыс мохит куллану өчен яраклы итү.

3-нче сорау: GaN-пыяла ваферларга каршылыкны һәм допинг төрен көйли аламмы?

А3:Әйе, тәкъдим итәбезкөйләнә торган каршылыкһәмдопинг төрләреGaN-пыяла ваферлар өчен (N-тип яки P-тип). Бу сыгылучылык ваферларга махсус кушымталарга яраклаштырырга мөмкинлек бирә, шул исәптән электр җайланмалары, светофорлар, фотоник системалар.

4-нче сорау: Оптоэлектроникада GaN-стакан өчен типик кушымталар нинди?

А4:Оптоэлектроникада GaN-пыяла ваферлар гадәттә кулланылазәңгәр һәм яшел яктырткычлар, УВ лазерлары, һәмфотодетекторлар. Пыяланың көйләнә торган оптик үзлекләре югары булган җайланмаларга мөмкинлек бирәяктылык тапшыру, аларны куллану өчен идеаль итүкүрсәтү технологияләре, яктырту, һәмоптик элемтә системалары.

5-нче сорау: GaN-on-стакан югары ешлыктагы кушымталарда ничек эшли?

А5:GaN-пыяла ваферлар тәкъдим итәискиткеч электрон хәрәкәт, яхшы чыгыш ясарга мөмкинлек бирәюгары ешлыклы кушымталаркебекRF көчәйткечләр, микродулкынлы җайланмалар, һәм5G элемтә системалары. Аларның югары ватылу көчәнеше һәм түбән күчү югалтулары аларны яраклаштыраюгары көчле RF җайланмалары.

6-нчы сорау: GaN-пыяла ваферларның типик өзелү көчәнеше нинди?

А6:GaN-пыяла ваферлар гадәттә ватылу көчәнешләренә булышалар1200В, аларга яраклы итүюгары көчһәмюгары көчәнешкушымталар. Аларның киң полосасы кремний кебек гадәти ярымүткәргеч материалларга караганда югары көчәнешләрне эшкәртергә мөмкинлек бирә.

7-нче сорау: GaN-пыяла ваферларны автомобиль кушымталарында кулланып буламы?

A7:Әйе, GaN-пыяла ваферлар кулланылаавтомобиль энергиясе, шул исәптәнDC-DC конвертерларыһәмборттагы зарядлагычларЭлектр машиналары өчен. Аларның югары температурада эшләве һәм югары көчәнешләр белән эш итү сәләте аларны бу таләпчән кушымталар өчен идеаль итә.

Йомгаклау

Пыяла 4-дюймлы ваферларда безнең GaN оптоэлектроника, электр электроникасы һәм фотоника өлкәсендәге төрле кушымталар өчен уникаль һәм көйләнә торган чишелеш тәкъдим итә. JGS1, JGS2, BF33, һәм Гади Кварц кебек пыяла субстрат вариантлары белән, бу ваферлар механик һәм оптик үзенчәлекләрдә күпкырлы булалар, югары көчле һәм югары ешлыклы җайланмалар өчен махсус чишелешләр булдыралар. Светофор, лазер диодлары, яисә RF кушымталары өчен, GaN-пыяла ваферлар