InGaAs эпитаксиаль вафер субстрат PD Array фотодетектор массивлары LiDAR өчен кулланылырга мөмкин

InGaAs эпитаксиаль вафер субстрат PD Array фотодетектор массивлары LiDAR үзенчәлекле рәсем өчен кулланылырга мөмкин

Кыска тасвирлау:

InGaAs эпитаксиаль фильм билгеле бер субстратта эпитаксиаль үсеш технологиясе белән формалашкан индий галлий арсеник (InGaAs) бер кристалл нечкә кино материалы турында бара. Гомуми InGaAs эпитаксиаль субстратлар индий фосфид (InP) һәм галий арсенид (GaAs). Бу субстрат материалларның яхшы кристалл сыйфаты һәм җылылык тотрыклылыгы бар, алар InGaAs эпитаксиаль катламнары үсеше өчен искиткеч субстрат бирә ала.
PD Array (Photodetector Array) - бер үк вакытта берничә оптик сигналны ачыклый алган берничә фотодетекторлар массивы. MOCVDдан үскән эпитаксиаль таблица, нигездә, фотодетекция диодларында кулланыла, үзләштерү катламы U-InGaAлардан тора, фон допинг <5E14, һәм таралган Zn клиент яки Epihouse белән тәмамланырга мөмкин. Эпитаксиаль планшетлар PL, XRD һәм ECV үлчәүләре белән анализланган.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

InGaAs лазер эпитаксиаль таблицасының төп үзенчәлекләре

1.
2.
3. Photгары фотосессия: InGaAs эпитаксиаль фильм яктылыкка югары сизгерлеккә ия, бу аны фотоэлектрик ачыклау, оптик элемтә һәм башка уникаль өстенлекләр өлкәсендә ясый.
4. temperatureгары температураның тотрыклылыгы: InGaAs / InP эпитаксиаль структурасы бик югары температураның тотрыклылыгына ия, һәм югары температурада җайланманың тотрыклы эшләвен саклый ала.

InGaAs лазер эпитаксиаль планшетларның төп кушымталары керә

4. Медицина күзаллау: Медицина күзәтү җиһазларында (КТ, МРИ һ.б.), ачыклау һәм сурәтләү өчен.

5. Сенсор челтәре: экологик мониторингта һәм газны ачыклауда бер үк вакытта берничә параметрны күзәтеп була.

6. Индустриаль автоматизация: җитештерү линиясендә объектларның торышын һәм сыйфатын күзәтү өчен машина күрү системаларында кулланыла.

Киләчәктә InGaAs эпитаксиаль субстратның матди үзлекләре яхшырачак, фотоэлектр конверсия эффективлыгын яхшырту һәм шау-шу дәрәҗәсен киметү. Бу InGaAs эпитаксиаль субстратны оптоэлектрон җайланмаларда киңрәк кулланачак, һәм эш башкару искиткеч. Шул ук вакытта, зур базар ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен, чыгымнарны киметү һәм нәтиҗәлелеген күтәрү өчен әзерлек процессы даими оптимальләштереләчәк.

Гомумән алганда, InGaAs эпитаксиаль субстрат үзенчәлекле характеристикалары һәм киң куллану перспективалары белән ярымүткәргеч материаллар өлкәсендә мөһим урын били.

XKH төрле структуралар һәм калынлыклар белән InGaAs эпитаксиаль таблицаларны үзләштерүне тәкъдим итә, оптоэлектрон җайланмалар, лазерлар, кояш күзәнәкләре өчен бик күп кушымталарны үз эченә ала. XKH продуктлары югары җитештерүчәнлекне һәм ышанычлылыкны тәэмин итү өчен алдынгы MOCVD җиһазлары белән җитештерелә. Логистика ягыннан, XKH халыкара чыганак каналларының киң ассортиментына ия, алар заказлар санын сыгылмалы эшли ала, чистарту һәм сегментлаштыру кебек өстәмә хезмәтләр күрсәтә ала. Эффектив тапшыру процесслары вакытында китерүне тәэмин итә һәм сыйфат һәм җибәрү вакытына клиент таләпләренә җавап бирә.