LiDAR өчен InGaAs эпитаксиаль пластина субстраты PD массивы фотодетектор массивларын кулланырга мөмкин.

InGaAs эпитаксиаль пластина субстраты PD массивы фотодетектор массивларын LiDAR өчен кулланырга мөмкин. Күрсәтелгән рәсем.

Кыскача тасвирлама:

InGaAs эпитаксиаль пленкасы билгеле бер субстратта эпитаксиаль үстерү технологиясе ярдәмендә формалаштырылган индий галлий мышьяк (InGaAs) монокристалл юка пленка материалын аңлата. InGaAs эпитаксиаль субстратлары - индий фосфиды (InP) һәм галлий арсениды (GaAs). Бу субстрат материаллары яхшы кристалл сыйфатына һәм термик тотрыклылыкка ия, бу InGaAs эпитаксиаль катламнары үсеше өчен бик яхшы субстрат булып тора.
PD массивы (Фотодетектор массивы) - бер үк вакытта берничә оптик сигналны ачыкларга сәләтле берничә фотодетектор массивы. MOCVD'дан үстерелгән эпитаксиаль катлам, нигездә, фотодетектор диодларында кулланыла, абсорбция катламы U-InGaAs'тан тора, фон легирлавы <5E14, ә таралган Zn заказ бирүче яки Epihouse тарафыннан тутырыла ала. Эпитаксиаль таблеткалар PL, XRD һәм ECV үлчәүләре ярдәмендә анализланды.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

InGaAs лазер эпитаксиаль битенең төп үзенчәлекләре түбәндәгеләрне үз эченә ала

1. Решетка туры килүе: InGaAs эпитаксиаль катламы һәм InP яки GaAs субстраты арасында яхшы решетка туры килүен тәэмин итәргә мөмкин, шуның белән эпитаксиаль катламның кимчелек тыгызлыгын киметә һәм җайланманың эшчәнлеген яхшырта.
2. Көйләнә торган зона аралыгы: InGaAs материалының зона аралыгына In һәм Ga компонентларының нисбәтен көйләү юлы белән ирешергә мөмкин, бу InGaAs эпитаксиаль катламын оптоэлектрон җайланмаларда куллануның киң мөмкинлекләрен бирә.
3. Югары фотосизгерлек: InGaAs эпитаксиаль пленкасы яктылыкка югары сизгерлеккә ия, бу аны фотоэлектрик детекторлау, оптик элемтә һәм башка уникаль өстенлекләр өлкәсендә куллана.
4. Югары температура тотрыклылыгы: InGaAs/InP эпитаксиаль структурасы югары температура тотрыклылыгына ия һәм югары температураларда җайланманың тотрыклы эшләвен тәэмин итә ала.

InGaAs лазер эпитаксиаль таблеткаларының төп кулланылышлары түбәндәгеләрне үз эченә ала:

1. Оптоэлектрон җайланмалар: InGaAs эпитаксиаль таблеткалары фотодиодлар, фотодетекторлар һәм башка оптоэлектрон җайланмалар җитештерү өчен кулланылырга мөмкин, алар оптик элемтәдә, төнге күрүдә һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла.

2. Лазерлер: InGaAs эпитаксиаль катламнары шулай ук лазерлар, бигрәк тә оптик җепселле элемтәдә, сәнәгать эшкәртүендә һәм башка өлкәләрдә мөһим роль уйный торган озын дулкынлы лазерлар җитештерү өчен дә кулланылырга мөмкин.

3. Кояш батареялары: InGaAs материалы киң зона аралыгын көйләү диапазонына ия, ул термик фотоэлектрик батареялар таләп иткән зона аралыгы таләпләрен канәгатьләндерә ала, шуңа күрә InGaAs эпитаксиаль катламы кояш батареялары өлкәсендә дә билгеле бер куллану потенциалына ия.

4. Медицина сурәтләү: Медицина сурәтләү җиһазларында (мәсәлән, КТ, МРТ һ.б.), ачыклау һәм сурәтләү өчен.

5. Сенсор челтәре: әйләнә-тирә мохитне күзәтү һәм газны ачыклауда бер үк вакытта берничә параметрны күзәтеп була.

6. Сәнәгать автоматизациясе: җитештерү линиясендәге объектларның торышын һәм сыйфатын күзәтү өчен машина күрү системаларында кулланыла.

Киләчәктә InGaAs эпитаксиаль субстратының материал үзенчәлекләре яхшыруын дәвам итәчәк, шул исәптән фотоэлектрик конверсия нәтиҗәлелеге яхшырачак һәм тавыш дәрәҗәсен киметә. Бу InGaAs эпитаксиаль субстратын оптоэлектрон җайланмаларда киңрәк кулланылышка китерәчәк, һәм аның эшчәнлеге тагын да яхшырак булачак. Шул ук вакытта, зуррак базар ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен, әзерләү процессы да чыгымнарны киметү һәм нәтиҗәлелекне арттыру өчен даими рәвештә оптимальләштереләчәк.

Гомумән алганда, InGaAs эпитаксиаль субстраты үзенең уникаль үзенчәлекләре һәм киң куллану перспективалары белән ярымүткәргеч материаллар өлкәсендә мөһим урын алып тора.

XKH төрле структуралы һәм калынлыктагы InGaAs эпитаксиаль катламнарын көйләүне тәкъдим итә, алар оптоэлектрон җайланмалар, лазерлар һәм кояш батареялары өчен киң кулланылышларны үз эченә ала. XKH продуктлары югары җитештерүчәнлекне һәм ышанычлылыкны тәэмин итү өчен алдынгы MOCVD җиһазлары белән җитештерелә. Логистикага килгәндә, XKH халыкара чыганак каналларының киң диапазонына ия, алар заказлар санын сыгылмалы рәвештә эшкәртә ала һәм эшкәртү һәм сегментлаштыру кебек өстәмә хезмәтләр күрсәтә ала. Нәтиҗәле китерү процесслары вакытында китерүне тәэмин итә һәм сыйфат һәм китерү вакыты буенча клиентларның таләпләрен канәгатьләндерә.