Алга киткән материаллар өчен микрожетлы су белән идарә ителгән лазер кисү системасы
Төп өстенлекләр
1. Су белән идарә итү аша чагыштыргысыз энергия фокусы
Назлы басымлы су реактивын лазер дулкыны итеп кулланып, система һава комачаулавын бетерә һәм тулы лазер фокусын тәэмин итә. Нәтиҗә ультра-тар киселгән киңлекләр - 20μм кадәр кечкенә - үткен, чиста кырлары белән.
2. Минималь җылылык эзе
Системаның реаль вакыттагы җылылык җайга салуы җылылыкка тәэсир иткән зонаның беркайчан да 5μмнан артмавын тәэмин итә, материаль эшне саклау һәм микрокреклардан саклану өчен бик мөһим.
3. Киң материалның туры килүе
Ике дулкын озынлыгы (532nm / 1064nm) көчәйтелгән үзләштерү көйләнешен тәэмин итә, машинаны төрле субстратларга яраклаштыра, оптик яктан ачык кристалллардан ачык керамикага кадәр.
4. Speгары тизлек, югары төгәл хәрәкәт белән идарә итү
Сызыклы һәм туры йөртүче двигательләр вариантлары белән, система төгәллекне бозмыйча, югары үткәрү ихтыяҗларын хуплый. Биш күчәрле хәрәкәт алга таба катлаулы үрнәк ясарга һәм күп юнәлешле кыскартуларга мөмкинлек бирә.
5. Модульле һәм масштаблы дизайн
Кулланучылар система конфигурацияләрен кушымта таләпләренә нигезләнеп төзи алалар - лаборатория нигезендәге прототиптан алып производство масштабына кадәр - аны R&D һәм сәнәгать өлкәләрендә яраклаштыра алалар.
Куллану өлкәләре
Өченче буын ярымүткәргечләр:
SiC һәм GaN ваферлары өчен бик яхшы, система бәяләү, траншея ясау һәм чит кыр сафлыгы белән кисү эшләрен башкара.
Алмаз һәм оксид ярымүткәргеч эшкәртү:
Карбонлаштыру яки җылылык деформациясе булмаган бер кристалл бриллиант һәм Ga₂O₃ кебек каты материалларны кисү һәм бораулау өчен кулланыла.
Алга киткән аэрокосмик компонентлар:
Реактив двигатель һәм спутник компонентлары өчен югары киеренке керамик композитларның һәм супераллойларның структур формалашуын хуплый.
Фотовольтаик һәм керамик субстратлар:
Нечкә вафиннарны һәм LTCC субстратларын бушка кисәргә мөмкинлек бирә, шул исәптән тишекләр һәм үзара бәйләнеш өчен уяу тегермәне.
Синтиляторлар һәм оптик компонентлар:
Ce: YAG, LSO һәм башкалар кебек оптик материалларда өслекнең тигезлеген һәм тапшыруын саклый.
Спецификация
Feзенчәлек | Спецификация |
Лазер чыганагы | DPSS Nd: YAG |
Дулкын озынлыгы вариантлары | 532nm / 1064nm |
Көч дәрәҗәләре | 50/100/200 Ватт |
Төгәллек | ± 5μм |
Киңлекне кисегез | 20μм кебек тар |
Atылылык тәэсир иткән зона | ≤5μm |
Хәрәкәт төре | Сызыклы / туры диск |
Ярдәмләнгән материаллар | SiC, GaN, Алмаз, Ga₂O₃ һ.б. |
Нигә бу системаны сайларга?
The Термаль ярак һәм кыр чипсы кебек типик лазер эшкәртү проблемаларын бетерә
High costгары бәяле материаллар өчен уңышны һәм эзлеклелекне яхшырта
Pil Пилот масштабта да, сәнәгатьтә дә куллану өчен яраклаштырылган
Materials материаллар фәнен үстерү өчен киләчәктә дәлилләүче платформа
Сораулар
1 нче сорау: Бу система нинди материалларны эшкәртә ала?
:: Система махсус каты һәм ватык югары кыйммәтле материаллар өчен эшләнгән. Ул кремний карбид (SiC), галлий нитрид (GaN), бриллиант, галли оксиды (Ga₂O₃), LTCC субстратлары, аэрокосмик композитлар, фотоволтаик ваферлар, Ce: YAG яки LSO кебек кристаллларны эффектив эшкәртә ала.
2 нче сорау: Су белән идарә ителгән лазер технологиясе ничек эшли?
:: Лазер нурын гомуми эчке чагылдыру аша алып бару өчен, югары басымлы микрожет су куллана, лазер энергиясен минималь таралу белән эффектив җибәрә. Бу ультра-нечкә фокусны, аз җылылык йөген, 20 мм га кадәр сызык киңлеге белән төгәл кисүне тәэмин итә.
3 нче сорау: Лазер көченең нинди конфигурацияләре бар?
А: Клиентлар эшкәртү тизлегенә һәм резолюция ихтыяҗларына карап 50W, 100W, 200W лазер көче вариантларын сайлый ала. Барлык вариантлар да югары нур тотрыклылыгын һәм кабатланучанлыгын саклыйлар.
Диаграмма




