Яңалыклар
-
Conductткәргеч һәм ярым изоляцияләнгән кремний карбид субстрат кушымталары
Кремний карбид субстраты ярым изоляцион төргә һәм үткәргеч төргә бүленә. Хәзерге вакытта ярым изоляцияләнгән кремний карбид субстрат продуктларының төп спецификасы 4 дюйм. Condткәргеч кремний карбид ма ...Күбрәк укыгыз -
Төрле кристалл юнәлешле сапфир ваферларын куллануда да аермалар бармы?
Сапфир - алуминаның бер кристалл, өчьяклы кристалл системасына керә, алты почмаклы структура, аның кристалл структурасы өч кислород атомыннан һәм ковалент бәйләнеш тибындагы ике алюминий атомыннан тора, бик тыгыз урнаштырылган, көчле бәйләү чылбыры һәм тактасы энергиясе, ә кристалл инте ...Күбрәк укыгыз -
SiC үткәргеч субстрат белән ярым изоляцияләнгән субстрат арасында нинди аерма бар?
SiC кремний карбид җайланмасы чимал буларак кремний карбидтан ясалган җайланманы аңлата. Төрле каршылык үзенчәлекләре буенча, ул үткәргеч кремний карбид электр җайланмаларына һәм ярым изоляцияләнгән кремний карбид RF җайланмаларына бүленә. Төп җайланма формалары һәм ...Күбрәк укыгыз -
Мәкалә сезне TGV остасы алып бара
Нәрсә ул TGV? TGV;Күбрәк укыгыз -
Вафин өслегенең сыйфатын бәяләү күрсәткечләре нинди?
Ярымүткәргеч технологиянең өзлексез үсеше белән, ярымүткәргеч индустриясендә һәм хәтта фотоволтаик индустриядә, вафат субстрат яки эпитаксиаль таблицаның өслек сыйфаты таләпләре дә бик катгый. Алайса, сыйфат таләпләре нинди ...Күбрәк укыгыз -
SiC бер кристалл үсеш процессы турында күпме беләсез?
Кремний карбид (SiC), киң үткәргеч ярымүткәргеч материал буларак, заманча фән һәм технология куллануда көннән-көн мөһим роль уйный. Кремний карбид искиткеч җылылык тотрыклылыгына, югары электр кырына толерантлыкка, белә торып үткәрүчәнлеккә ия ...Күбрәк укыгыз -
Эчке SiC субстратларының уңышлы сугышы
Соңгы елларда, яңа энергия машиналары, фотоволтаик энергия җитештерү, һәм энергия саклау кебек түбән агым кушымталарының өзлексез үтеп керүе белән, SiC, яңа ярымүткәргеч материал буларак, бу өлкәләрдә мөһим роль уйный. Буенча ...Күбрәк укыгыз -
SiC MOSFET, 2300 вольт.
26-нчы көнне Power Cube Semi Көньяк Кореяның беренче 2300V SiC (Кремний Карбид) MOSFET ярымүткәргечнең уңышлы үсешен игълан итте. Хәзерге Si (Кремний) нигезендәге ярымүткәргечләр белән чагыштырганда, SiC (Кремний Карбид) югары көчәнешләргә каршы тора ала, шуңа күрә t ...Күбрәк укыгыз -
Ярымүткәргечне торгызу бер иллюзияме?
2021 - 2022 елларда, глобаль ярымүткәргеч базарында COVID-19 таралуы аркасында махсус таләпләр барлыкка килү аркасында тиз үсеш булды. Ләкин, COVID-19 пандемиясе китергән махсус таләпләр 2022 елның соңгы яртысында бетеп, ...Күбрәк укыгыз -
2024-нче елда ярымүткәргеч капитал чыгымнары кимеде
Чәршәмбе көнне, Президент Байден Intel-ны турыдан-туры финанслау өчен 8,5 миллиард доллар һәм CHIPS һәм фән акты нигезендә 11 миллиард доллар кредит бирү турында килешү игълан итте. Intel бу финанслауны Аризона, Огайо, Нью-Мексика һәм Орегондагы вафер фаблары өчен кулланачак. Безнең ...Күбрәк укыгыз -
SiC ваферы нәрсә ул?
SiC ваферлары кремний карбидыннан ясалган ярымүткәргечләр. Бу материал 1893 елда эшләнгән һәм төрле кушымталар өчен идеаль. Бигрәк тә Шоттки диодлары, тоташу барьеры Шоттки диодлары, ачкычлар һәм металл-оксид-ярымүткәргеч кыр-эффект транзисы өчен яраклы ...Күбрәк укыгыз -
Өченче буын ярымүткәргечне - кремний карбидын тирәнтен аңлату
Кремний карбидына кертү Кремний карбид (SiC) - углерод һәм кремнийдан торган катнаш ярымүткәргеч материал, ул югары температура, югары ешлык, югары көч һәм югары көчәнеш җайланмалары ясау өчен идеаль материалларның берсе. Традицион белән чагыштырганда ...Күбрәк укыгыз