Продукция
-
p-тип 4H / 6H-P 3C-N TYPE SIC субстрат 4инч 〈111〉 ± 0,5 ° Нуль MPD
-
SiC субстрат P-тип 4H / 6H-P 3C-N 4инч калынлыгы 350ум җитештерү классы Dummy класс
-
4H / 6H-P 6inch SiC ваферы Zero MPD класс җитештерү дәрәҗәсе Dummy Grade
-
P-тибындагы SiC ваферы 4H / 6H-P 3C-N 6инч калынлыгы 350 мм, төп яссы юнәлеш белән
-
Алумина керамик кулы керамик роботик кул
-
Сапфир трубасы KY методы барлык үтә күренмәле
-
Al2O3 99.999% сапфир махсус плитаның үтә күренмәле чыдамлыгы 38 × 4,5 × 0,3 ммт
-
Сапфир пычак чәчләрен күчереп алу медицина максатларында көйләнергә мөмкин
-
Сирень ЯГ чимал порошогы запастагы куе кызыл
-
Кварц сапфирында TVG процессы BF33 вафер пыяла вафер сугу
-
Бер кристалл кремний вафер Si субстрат тибы N / P өстәмә кремний карбид ваферы
-
N-Type SiC композит субстратлары Dia6inch qualityгары сыйфатлы монокристалин һәм түбән сыйфатлы субстрат