KY Kyropoulos сапфир пластинасы һәм оптик тәрәзә җитештерү ысулы белән сапфир кристалл үстерү миче
Эш принцибы
KY ысулының төп принцибы югары сафлыклы Al₂O₃ чималны вольфрам/молибден тигельендә 2050°C температурада эретүдән гыйбарәт. Орлык кристалы эремәгә төшерелә, аннары контрольдә тотылган тарту (0,5–10 мм/сәг) һәм әйләндерү (0,5–20 әйләнү/мин) башкарыла, шуның белән α-Al₂O₃ монокристалларының юнәлешле үсеше тәэмин ителә. Төп үзенчәлекләр:
• Зур үлчәмле кристаллар (макс. Φ400 мм × 500 мм)
• Түбән көчәнешле оптик класслы сапфир (дулкын фронты бозылуы <λ/8 @ 633 нм)
• Легирланган кристаллар (мәсәлән, йолдызлы сапфир өчен Ti³⁰ легирлау)
Төп система компонентлары
1. Югары температуралы эретү системасы
• Вольфрам-молибден композит тигеле (максимум температура 2300°C)
• Күп зоналы графит җылыткыч (±0,5°C температураны көйләү)
2. Кристалл үсеш системасы
• Серво белән идарә ителә торган тарту механизмы (±0,01 мм төгәллек)
• Магнитлы сыекча әйләндергеч герметик (0–30 әйләнү/мин адымсыз тизлек көйләү)
3. Җылылык кырын контрольдә тоту
• 5 зоналы бәйсез температура контроле (1800–2200°C)
• Көйләнә торган җылылык саклагычы (±2°C/см градиент)
• Вакуум һәм атмосфера системасы
• 10⁻⁴ Pa югары вакуум
• Ar/N₂/H₂ катнаш газ контроле
4. Акыллы мониторинг
• CCD кристалл диаметрын реаль вакыт режимында күзәтү
• Күп спектрлы эретү дәрәҗәсен ачыклау
KY һәм CZ методларын чагыштыру
| Параметр | KY методы | CZ методы |
| Макс. Кристалл зурлыгы | Φ400 мм | Φ200 мм |
| Үсеш темплары | 5–15 мм/сәг | 20–50 мм/сәг |
| Дефект тыгызлыгы | <100/см² | 500–1000/см² |
| Энергия куллану | 80–120 кВт/сәг/кг | 50–80 кВт/сәг/кг |
| Гадәти кушымталар | Оптик тәрәзәләр/зур пластиналар | LED субстратлары/бизәнү әйберләре |
Төп кушымталар
1. Оптоэлектрон тәрәзәләр
• Хәрби инфракызыл гөмбәзләр (үткәргечлеге >85%@3–5 мкм)
• УВ лазер тәрәзәләре (200 Вт/см² көч тыгызлыгына чыдам)
2. Ярымүткәргечле субстратлар
• GaN эпитаксиаль пластиналары (2–8 дюйм, TTV <10 мкм)
• SOI субстратлары (өслекнең тигезсезлеге <0,2 нм)
3. Кулланучылар электроникасы
• Смартфон камерасы өчен тышлык пыяласы (Мохс катылыгы 9)
• Акыллы сәгать дисплейлары (тырналуга каршы торучанлыкны 10 тапкыр арттыру)
4. Махсуслаштырылган материаллар
• Югары чисталыклы инфракызыл оптика (абсорбция коэффициенты <10⁻³ см⁻¹)
• Атом реакторын күзәтү тәрәзәләре (нурланышка чыдамлылык: 10¹⁶ н/см²)
Kyropoulos (KY) сапфир кристалл үстерү җиһазларының өстенлекләре
Kyropoulos (KY) ысулына нигезләнгән сапфир кристалларын үстерү җиһазы тиңдәшсез техник өстенлекләр бирә, аны сәнәгать масштабында җитештерү өчен алдынгы чишелеш буларак күрсәтә. Төп өстенлекләр арасында:
1. Зур диаметрлы мөмкинлекләр: Диаметры 300 мм га кадәр булган сапфир кристалларын үстерә ала, бу GaN эпитакси һәм хәрби дәрәҗәдәге тәрәзәләр кебек алдынгы кушымталар өчен пластиналар һәм оптик компонентлар җитештерүне тәэмин итә.
2. Бик түбән кимчелек тыгызлыгы: Оптимальләштерелгән җылылык кыры дизайны һәм төгәл температура градиенты контроле ярдәмендә дислокация тыгызлыгы <100/см² га җитә, оптоэлектрон җайланмалар өчен кристаллның югары дәрәҗәдәге бөтенлеген тәэмин итә.
3. Югары сыйфатлы оптик эшчәнлек: Күренмәдән инфракызыл спектрларга кадәр (400–5500 нм) 85% тан артык үткәрүчәнлек бирә, бу ультрафиолет лазер тәрәзәләре һәм инфракызыл оптика өчен бик мөһим.
4. Алга киткән автоматизация: Серво белән идарә ителә торган тарту механизмнары (±0,01 мм төгәллек) һәм магнитлы сыеклык әйләндергеч герметиклар (0–30 әйләнү/мин адымсыз идарә итү) белән җиһазландырылган, кеше катнашуын минимальләштерә һәм тотрыклылыкны арттыра.
5. Сыгылмалы легирлау вариантлары: Cr³⁰ (рубин өчен) һәм Ti³⁰ (йолдызлы сапфир өчен) кебек легирлаулар белән көйләүне хуплый, оптоэлектроника һәм зәркән әйберләре базарындагы махсус таләпләргә туры килә.
6. Энергия нәтиҗәлелеге: Оптимальләштерелгән җылылык изоляциясе (вольфрам-молибден тигеле) энергия куллануны 80–120 кВт/кг кадәр киметә, альтернатив үстерү ысуллары белән көндәшлеккә сәләтле.
7. Масштаблы җитештерү: Ай саен 5000+ пластина җитештерүгә ирешә, тиз цикл вакыты белән (30–40 кг кристаллар өчен 8–10 көн), бу 200 дән артык глобаль җайланма тарафыннан расланган.
?
8. Хәрби дәрәҗәдәге ныклык: аэрокосмик һәм атом-төш кушымталары өчен бик мөһим булган радиациягә чыдам конструкцияләрне һәм җылылыкка чыдам материалларны үз эченә ала (10¹⁶ н/см²).
Бу инновацияләр KY ысулын югары җитештерүчән сапфир кристаллары җитештерү өчен алтын стандарт буларак ныгыта, 5G элемтәсе, квант исәпләүләре һәм оборона технологияләре өлкәсендә алга китешкә этәргеч бирә.
XXKH хезмәтләре
XKH сапфир кристалл үстерү системалары өчен комплекслы "ачкычка әзер" чишелешләр тәкъдим итә, шул исәптән урнаштыру, процессны оптимальләштерү һәм персоналны укыту, оператив интеграцияне тәэмин итү өчен. Без төрле сәнәгать ихтыяҗларына туры китереп эшләнгән алдан расланган үстерү рецептларын (50+) тәкъдим итәбез, бу клиентлар өчен тикшеренү һәм эшләү вакытын сизелерлек киметә. Махсуслаштырылган кушымталар өчен, махсус эшләү хезмәтләре куышлыкны көйләү (Φ200–400 мм) һәм алдынгы легирлау системаларын (Cr/Ti/Ni) тәэмин итә, югары җитештерүчән оптик компонентларны һәм радиациягә чыдам материалларны хуплый.
Өстәмә кыйммәткә ия хезмәтләргә кисү, тарту һәм ялтырату кебек үсемлектән соңгы эшкәртү керә, шулай ук пластиналар, торбалар һәм асылташ бланклары кебек сапфир продуктларының тулы ассортименты белән тулыландырыла. Бу тәкъдимнәр кулланучы электроникасыннан алып аэрокосмикка кадәр тармакларны үз эченә ала. Безнең техник ярдәм 24 айлык гарантияне һәм реаль вакытта дистанцион диагностиканы гарантияли, бу минималь тукталыш вакытын һәм тотрыклы җитештерү нәтиҗәлелеген тәэмин итә.









