SiC
-
Кремний карбиды (SiC) монокристалл субстраты – 10×10 мм пластина
-
4H-N HPSI SiC пластинасы 6H-N 6H-P 3C-N SiC MOS яки SBD өчен эпитаксиаль пластина
-
Көч җайланмалары өчен SiC эпитаксиаль пластинасы – 4H-SiC, N-типтагы, түбән дефект тыгызлыгы
-
4H-N тибындагы SiC эпитаксиаль пластинасы югары көчәнешле югары ешлыклы
-
3 дюймлы югары сафлыклы (легирланмаган) кремний карбид пластиналары ярымизоляцияле силикон субстратлар (HPSl)
-
4H-N 8 дюймлы SiC субстрат пластинасы, кремний карбиды манеке, 500 мкм калынлыктагы тикшеренү классы
-
4H-N/6H-N SiC пластинасы, Диаметры 150 мм булган макет маркалы кремний карбиды субстраты.
-
Au белән капланган пластина, сапфир пластинасы, кремний пластинасы, SiC пластинасы, 2 дюйм 4 дюйм 6 дюйм, алтын белән капланган калынлыгы 10нм 50нм 100нм
-
SiC ваферы 4H-N 6H-N HPSI 4H-ярым 6H-ярым 4H-P 6H-P 3C тибы 2инч 3инч 4инч 6инч 8инч
-
2 дюймлы Sic кремний карбиды субстраты 6H-N тибындагы 0,33 мм 0,43 мм ике яклы полировка Югары җылылык үткәрүчәнлеге түбән энергия куллану
-
SiC субстраты 3 дюйм 350 мкм калынлыктагы HPSI тибындагы Prime Grade манекен классы
-
Кремний карбиды SiC Ingot 6 дюймлы N тибындагы манекен/прайм-класс калынлыгын шәхси заказ буенча ясарга мөмкин