Субстрат
-
AR күзлекләре өчен 12 дюймлы 4H-SiC пластинасы
-
Алмаз-бакыр композит җылылык белән идарә итү материаллары
-
HPSI SiC пластинасы ≥90% үткәрүчәнлек оптик дәрәҗәсе AI/AR күзлекләре өчен
-
Ar күзлекләре өчен югары сыйфатлы ярымизоляцияле кремний карбиды (SiC) субстраты
-
4H-SiC эпитаксиаль пластиналар ультра югары көчәнешле MOSFETлар өчен (100–500 мкм, 6 дюйм)
-
SICOI (Изолятордагы кремний карбиды) SiC пленкасы кремнийдагы пластиналар
-
Эшкәртү өчен сапфир вафлисы буш югары сыйфатлы чимал сапфир субстраты
-
Сапфирның квадрат орлык кристалы – синтетик сапфир үстерү өчен төгәл юнәлешле субстрат
-
Кремний карбиды (SiC) монокристалл субстраты – 10×10 мм пластина
-
4H-N HPSI SiC пластинасы 6H-N 6H-P 3C-N SiC MOS яки SBD өчен эпитаксиаль пластина
-
Көч җайланмалары өчен SiC эпитаксиаль пластинасы – 4H-SiC, N-типтагы, түбән дефект тыгызлыгы
-
4H-N тибындагы SiC эпитаксиаль пластинасы югары көчәнешле югары ешлыклы