Сапфирда 100 мм 4инч ГаН Галиум нитрид эпитаксиаль ваферда

(1) temperatureгары температурада пешерү, сапфир субстрат водород атмосферасында иң элек 1050 to кадәр җылытыла, максат - субстрат өслеген чистарту;

(2) Субстрат температурасы 510 to кадәр төшкәч, 30нм калынлыктагы түбән температуралы GaN / AlN буфер катламы сапфир субстрат өслегенә салына;

)

)

.

.

(7) Сыйфатлы P тибындагы GaN Сибуян фильмы азот атмосферасында аннальләштерү белән 700 at;

(8) N тибындагы G стази өслеген ачу өчен P тибындагы G стазисы өстенә эләгү;

(9) Ni-Au контакт тәлинкәләренең p-GaNI өслегендә парга әйләнүе, электродлар формалаштыру өчен ll-GaN өслегендә △ / Al контакт тәлинкәләренең парга әйләнүе.