Сапфирда 200 мм 8инч ГаН Эпи-катлам вафер субстратында
Продукция белән таныштыру
8 дюймлы GaN-on-Sapphire субстраты - Сапфир субстратында үскән Галлиум Нитрид (GaN) катламыннан торган югары сыйфатлы ярымүткәргеч материал. Бу материал искиткеч электрон транспорт үзенчәлекләрен тәкъдим итә һәм югары көчле һәм югары ешлыктагы ярымүткәргеч җайланмалар ясау өчен идеаль.
Manufactитештерү ысулы
Manufacturingитештерү процессы металл-органик химик пар парламенты (MOCVD) яки молекуляр нур эпитаксы (MBE) кебек алдынгы техниканы кулланып, Сапфир субстратында GaN катламының эпитаксиаль үсешен үз эченә ала. Чүпләү югары кристалл сыйфатын һәм кино бердәмлеген тәэмин итү өчен контроль шартларда башкарыла.
Кушымталар
8 дюймлы GaN-on-Sapphire субстраты төрле өлкәләрдә микродулкынлы элемтә, радарсистемалар, чыбыксыз технологияләр һәм оптоэлектроника кебек киң кулланмалар таба. Кайбер гомуми кушымталар:
1. РФ көче көчәйткечләре
2. LED яктырту индустриясе
3. Сымсыз челтәр элемтә җайланмалары
4. highгары температуралы мохит өчен электрон җайланмалар
5. Oптоэлектрон җайланмалар
Продукт үзенчәлекләре
- Размеры: субстрат зурлыгы диаметры 8 дюйм (200 мм).
- faceир өсте сыйфаты: өслек югары шома дәрәҗәдә бизәлгән һәм көзгегә охшаган сыйфатны күрсәтә.
- Калынлык: GaN катламының калынлыгы билгеле таләпләргә нигезләнеп көйләнергә мөмкин.
- Пакетлау: Транзит вакытында зыянны булдырмас өчен, субстрат анти-статик материалларга җентекләп төрелгән.
- Ориентация фатиры: Субстратның махсус ориентация яссылыгы бар, ваферны тигезләүдә һәм җайланма эшкәртү процессында эшкәртүдә.
- Башка параметрлар: Калынлык, каршылык, допант концентрациясенең үзенчәлекләре клиент таләпләренә туры китереп эшләнергә мөмкин.
Materialгары материаль үзенчәлекләре һәм күпкырлы кушымталары белән, 8 дюймлы GaN-on-Sapphire субстратасы төрле тармакларда югары җитештерүчән ярымүткәргеч җайланмаларны үстерү өчен ышанычлы сайлау.
GaN-On-Sapphireдан кала, без шулай ук электр җайланмалары кушымталары өлкәсендә тәкъдим итә алабыз, продуктлар гаиләсенә 8 дюймлы AlGaN / GaN-on-Si эпитаксиаль ваферлар һәм 8 дюймлы P-cap AlGaN / GaN-on-Si эпитаксиалы керә. ваферлар. Шул ук вакытта, без микродулкынлы кырда үзенең алдынгы 8 дюймлы GaN эпитакси технологиясен куллануны яңарттык, һәм 8 дюймлы AlGaN / GAN-on-HR Si эпитакси ваферы эшләдек, ул югары җитештерүчәнлекне зур күләм, аз бәя белән берләштерә. һәм стандарт 8 дюймлы җайланма эшкәртү белән туры килә. Кремнийга нигезләнгән галий нитридына өстәп, бездә шулай ук AlGaN / GaN-on-SiC эпитаксиаль ваферларның продукт линиясе бар, клиентларның кремний нигезендәге галлий нитрид эпитаксиаль материалларына булган ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен.
Диаграмма
