Сапфир өстендә 200 мм 8 дюймлы GaN Epi-катламлы пластина субстраты

200 мм 8 дюймлы сапфир плитәсендә GaN. Epi-катламлы пластина нигезе. Күрсәтелгән рәсем.

Кыскача тасвирлама:

Җитештерү процессы металл-органик химик пар белән каплау (MOCVD) яки молекуляр нур эпитаксисы (MBE) кебек алдынгы ысулларны кулланып, сапфир субстратында GaN катламын эпитаксиаль үстерүне үз эченә ала. Каплау югары кристалл сыйфатын һәм пленканың бердәмлеген тәэмин итү өчен контрольдә тотылган шартларда башкарыла.

Безгә электрон почта җибәрегез

Үзенчәлекләр

Продукция белән таныштыру

8 дюймлы GaN-on-Sapphire субстраты - сапфир субстратында үстерелгән галлий нитриды (GaN) катламыннан торган югары сыйфатлы ярымүткәргеч материал. Бу материал электрон транспортның бик яхшы үзлекләрен тәкъдим итә һәм югары куәтле һәм югары ешлыклы ярымүткәргеч җайланмалар ясау өчен идеаль.

Җитештерү ысулы

Кушымталар

8 дюймлы GaN-on-Sapphire субстраты төрле өлкәләрдә, шул исәптән микродулкынлы элемтә, радар системалары, сымсыз технологияләр һәм оптоэлектроникада киң кулланыла. Гадәти кулланылышларның кайберләре:

1. РФ көч көчәйткечләре

2. LED яктырту сәнәгате

3. Чыбыксыз челтәр элемтә җайланмалары

4. Югары температуралы мохит өчен электрон җайланмалар

5. Oптоэлектрон җайланмалар

Продукциянең спецификацияләре

-Үлчәм: Субстратның диаметры 8 дюйм (200 мм).

- Өслек сыйфаты: Өслек югары дәрәҗәдә шома итеп ялтыратылган һәм көзге кебек сыйфатлы.

- Калынлык: GaN катламының калынлыгын билгеле бер таләпләргә нигезләнеп көйләргә мөмкин.

- Упаковка: Ташу вакытында зыян килмәсен өчен, субстрат антистатик материалларга җентекләп төрелгән.

- Ориентация яссылыгы: Субстратның җайланма җитештерү процессында пластиналарны тигезләү һәм эшкәртү өчен махсус юнәлеш яссылыгы бар.

- Башка параметрлар: Калынлык, каршылык һәм кушылма концентрациясенең үзенчәлекләрен клиент таләпләренә туры китереп көйләргә мөмкин.

Югары материал үзенчәлекләре һәм күпкырлы кулланылышлары белән, 8 дюймлы GaN-on-Sapphire субстраты төрле тармакларда югары җитештерүчән ярымүткәргеч җайланмалар эшләү өчен ышанычлы сайлау булып тора.

GaN-On-Sapphire'дан тыш, без шулай ук электр җайланмалары куллану өлкәсендә дә тәкъдим итә алабыз, продуктлар гаиләсенә 8 дюймлы AlGaN/GaN-on-Si эпитаксиаль пластиналары һәм 8 дюймлы P-капкачлы AlGaN/GaN-on-Si эпитаксиаль пластиналары керә. Шул ук вакытта, без микродулкынлы мич өлкәсендә үзенең алдынгы 8 дюймлы GaN эпитаксиаль технологиясен куллануда инновацияләр керттек һәм югары җитештерүчәнлекне зур күләмле, арзан бәяле һәм стандарт 8 дюймлы җайланма эшкәртү белән туры килә торган 8 дюймлы AlGaN/GAN-on-HR Si эпитаксиаль пластинасын эшләдек. Кремний нигезендәге галлий нитридыннан тыш, бездә шулай ук кремний нигезендәге галлий нитрид эпитаксиаль материалларына булган клиентларның ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен AlGaN/GaN-on-SiC эпитаксиаль пластиналары продукт линиясе дә бар.