Сапфир Эпи-катлам ваферында 50,8 мм 2инч GaN

Сапфирда 50,8 мм 2инч GaN Эпи-катлам ваферда үзенчәлекле рәсем

Кыска тасвирлау:

Өченче буын ярымүткәргеч материал буларак, галлий нитрид югары температурага каршы тору, югары ярашу, югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм киң диапазон аермасы өстенлекләренә ия. Төрле субстрат материаллар буенча, галлий нитрид эпитаксиаль таблицаларны дүрт категориягә бүлеп була: галий нитридына нигезләнгән галлий нитрид, кремний карбид нигезендәге галий нитриды, сапфир нигезендә галий нитриды һәм кремний нигезендәге галлий нитриды. Кремнийга нигезләнгән галлий нитрид эпитаксиаль таблицасы - аз җитештерү бәясе һәм җитлеккән җитештерү технологиясе белән иң киң кулланылган продукт.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Галий нитрид GaN эпитаксиаль таблицасын куллану

Галлиум нитридының эшләвенә нигезләнеп, галлий нитрид эпитаксиаль чиплары, нигездә, югары көч, югары ешлык һәм түбән көчәнеш куллану өчен яраклы.

Бу чагылыш таба:

1) bandгары бандгап: bandгары бандгап галлий нитрид җайланмаларының көчәнеш дәрәҗәсен яхшырта һәм 5G элемтә базасы станцияләре, хәрби радар һәм башка кырлар өчен аеруча яраклы галлий арсенид җайланмаларына караганда югарырак көч чыгара ала.

2) converгары конверсия эффективлыгы: галлий нитридны күчерүче электрон җайланмаларның каршылыгы кремний җайланмаларына караганда 3 зурлыктагы заказ, бу күчү югалтуын сизелерлек киметә ала;

3) malгары җылылык үткәрүчәнлеге: галий нитридның югары җылылык үткәрүчәнлеге аны югары җылылык, югары температура һәм башка җайланмалар җитештерү өчен яраклы җылылык тарату эшенә китерә;

4) Электр кырының өзелү көче: Галлий нитридның электр кыры көче кремний нитридына якын булса да, ярымүткәргеч процессы, материаль тактаның туры килмәве һәм башка факторлар аркасында, галий нитрид җайланмаларының көчәнеш чыдамлыгы гадәттә 1000В тирәсе, һәм куркынычсыз куллану көчәнеше гадәттә 650Втан түбән.

Предмет	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Ensionsлчәмнәре	e 50,8 мм ± 0,1 мм
Калынлык	4,5 ± 0,5 ум		4.5 ± 0,5ум
Ориентация	С-яссылык (0001) ± 0,5 °
Uctionткәрү төре	N тибы (ачылмаган)	N тибы (Si-doped)	P тибы (Mg-doped)
Каршылык (3O0K)	<0,5 Q ・ см	<0.05 Q ・ см	~ 10 Q ・ см
Ташучы концентрациясе	<5х10¹⁷см^-3	> 1х10¹⁸см^-3	> 6х1016 см^-3
Хәрәкәт	~ 300 см²/ Vs	~ 200 см²/ Vs	~ 10 см²/ Vs
Дислокация тыгызлыгы	5х10дан ким⁸см^-2(XRD FWHMs белән исәпләнә)
Субстрат структурасы	Саффирда GaN (Стандарт: SSP Вариант: DSP)
Кулланыла торган өслек мәйданы	> 90%
Пакет	Азот атмосферасы астында 100 класслы чиста бүлмә мохитендә, 25 шт кассеталарда яки бер вафин контейнерларда.