HPSI SiC Wafer ≥90% AI / AR стаканнары өчен оптик класс

Кыска тасвирлау:

Параметр	Сыйфат	4-дюйм субстрат	6-дюйм субстрат
Диаметр	Z класс / D класс	99,5 мм - 100,0 мм	149,5 мм - 150,0 мм
Поли тип	Z класс / D класс	4H	4H
Калынлык	Z класс	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Калынлык	D класс	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Вафер юнәлеше	Z класс / D класс	Окта: <0001> ± 0,5 °	Окта: <0001> ± 0,5 °
Микропип тыгызлыгы	Z класс	≤ 1 см²	≤ 1 см²
Микропип тыгызлыгы	D класс	≤ 15 см²	≤ 15 см²
Каршылык	Z класс	≥ 1E10 Ω · см	≥ 1E10 Ω · см
Каршылык	D класс	≥ 1E5 Ω · см	≥ 1E5 Ω · см

Безгә электрон почта җибәрегез

Featuresзенчәлекләр

Төп кереш: AI / AR стаканнарында HPSI SiC Wafers роле

HPSI (Pгары чисталык ярым изоляцион) Кремний Карбид вафлары - югары каршылык (> 10⁹ Ω · см) һәм бик түбән җитешсезлек тыгызлыгы белән характерланган махсус ваферлар. AI / AR стаканнарында, алар, беренче чиратта, дифрактив оптик дулкынлы линзалар өчен төп субстрат материал булып хезмәт итәләр, нечкә һәм җиңел форма факторлары, җылылыкның таралуы, оптик җитештерү ягыннан традицион оптик материаллар белән бәйле шешәләрне чишәләр. Мәсәлән, SiC дулкынландыргыч линзаларын кулланган AR стаканнары 70 ° –80 ° га кадәр ультрак киң мәйданга ирешә ала, шул ук вакытта бер линза катламының калынлыгын 0,55 ммга, авырлыгы 2,7г га кадәр киметә, уңайлык һәм визуаль чумуны сизелерлек арттыра.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_ 副本 _ 副本

Төп характеристика: SiC материалы AI / AR пыяла дизайнын ничек көчәйтә

Refrгары реактив индекс һәм оптик күрсәткеч оптимизациясе

SiC-ның реактив индексы (2.6-2.7) традицион пыялага караганда 50% ка югарырак (1.8-2.0). Бу нечкә һәм эффектив дулкынландыргыч структураларга мөмкинлек бирә, FOV-ны сизелерлек киңәйтә. Refrгары реактив индекс шулай ук дифрактив дулкын саклагычларында киң таралган "салават күпере эффектын" бастырырга ярдәм итә, сурәт чисталыгын яхшырта.

Гадәттән тыш җылылык белән идарә итү мөмкинлеге

490 Ватт / м · К (бакырныкына якын) җылылык үткәрүчәнлеге белән, SiC Micro-LED дисплей модуллары җитештергән җылылыкны тиз тарата ала. Бу югары температура аркасында эшнең бозылуына яки җайланманың картайуына, батареяның озын гомерен һәм югары тотрыклылыгын тәэмин итә.

Механик көч һәм ныклык

SiC Mohs катылыгы 9,5 (бриллианттан соң икенче), гадәттән тыш сызылуга каршы торуны тәкъдим итә, еш кулланыла торган кулланучылар стаканнары өчен идеаль итә. Аның өслегенең тупаслыгы Ра <0,5 нм белән контрольдә тотыла, дулкын саклагычларында аз югалту һәм югары бердәм яктылык җибәрүне тәэмин итә.

Электр милегенең туры килүе

HPSI SiC каршылыгы (> 10⁹ Ω · см) сигнал комачаулавын булдырмаска ярдәм итә. Ул шулай ук эффектив электр җайланмасы материалы булып, AR стаканнарындагы энергия белән идарә итү модулларын оптимальләштерә ала.

Беренчел заявка күрсәтмәләре

AI / AR Глазасы өчен төп оптик компонентларс

Диффрактив дулкын линзалары: SiC субстратлары зур FOV һәм салават күпере эффектын бетерү өчен булышучы ультра-нечкә оптик дулкынландыргычлар булдыру өчен кулланыла.
Тәрәзә тәлинкәләре һәм призлары: махсуслаштырылган кисү һәм бизәү ярдәмендә SiC саклагыч тәрәзәләргә яки AR стаканнары өчен оптик призларга эшкәртелергә мөмкин, яктылык үткәрүне көчәйтә һәм киемгә каршы тора.

Башка өлкәләрдә киңәйтелгән кушымталар

Энергия Электроникасы: Яңа энергия машинасы инвертерлары һәм сәнәгать двигательләре кебек югары ешлыклы, югары көчле сценарийларда кулланыла.
Квант оптикасы: квант элемтәсе һәм сизү җайланмалары өчен субстратларда кулланылган төс үзәкләре өчен хуҗа.

4 Inch & 6 Inch HPSI SiC субстрат спецификасын чагыштыру

Параметр	Сыйфат	4-дюйм субстрат	6-дюйм субстрат
Диаметр	Z класс / D класс	99,5 мм - 100,0 мм	149,5 мм - 150,0 мм
Поли тип	Z класс / D класс	4H	4H
Калынлык	Z класс	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Калынлык	D класс	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Вафер юнәлеше	Z класс / D класс	Окта: <0001> ± 0,5 °	Окта: <0001> ± 0,5 °
Микропип тыгызлыгы	Z класс	≤ 1 см²	≤ 1 см²
Микропип тыгызлыгы	D класс	≤ 15 см²	≤ 15 см²
Каршылык	Z класс	≥ 1E10 Ω · см	≥ 1E10 Ω · см
Каршылык	D класс	≥ 1E5 Ω · см	≥ 1E5 Ω · см
Беренчел фатир юнәлеше	Z класс / D класс	(10-10) ± 5.0 °	(10-10) ± 5.0 °
Беренчел фатир озынлыгы	Z класс / D класс	32,5 мм ± 2,0 мм	Notch
Икенчел фатир озынлыгы	Z класс / D класс	18,0 мм ± 2,0 мм	-
Кыр читен чыгару	Z класс / D класс	3 мм	3 мм
LTV / TTV / Bow / Warp	Z класс	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Bow / Warp	D класс	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Тупаслык	Z класс	Поляк Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Поляк Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm
Тупаслык	D класс	Поляк Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Поляк Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 нм
Кырык ярыклар	D класс	Кумулятив мәйдан ≤ 0,1%	Кумулятив озынлыгы ≤ 20 мм, бер ≤ 2 мм
Политип өлкәләре	D класс	Кумулятив мәйдан ≤ 0,3%	Кумулятив мәйдан ≤ 3%
Визуаль углерод кертүләре	Z класс	Кумулятив мәйдан ≤ 0,05%	Кумулятив мәйдан ≤ 0,05%
Визуаль углерод кертүләре	D класс	Кумулятив мәйдан ≤ 0,3%	Кумулятив мәйдан ≤ 3%
Кремний өслеге сызыклары	D класс	5 рөхсәт, һәрберсе ≤1 мм	Кумулятив озынлык ≤ 1 х диаметр
Кыр чиплары	Z класс	Беркем дә рөхсәт ителмәгән (киңлек һәм тирәнлек ≥0.2 мм)	Беркем дә рөхсәт ителмәгән (киңлек һәм тирәнлек ≥0.2 мм)
Кыр чиплары	D класс	7 рөхсәт, һәрберсе ≤1 мм	7 рөхсәт, һәрберсе ≤1 мм
Винтовка винтасы	Z класс	-	≤ 500 см²
Пакетлау	Z класс / D класс	Күп ваферлы кассета яки бер вафер контейнер	Күп ваферлы кассета яки бер вафер контейнер

XKH хезмәтләре: Берләштерелгән җитештерү һәм үзләштерү мөмкинлекләре

XKH компаниясе чималдан әзер ваферга кадәр вертикаль интеграция мөмкинлекләренә ия, SiC субстрат үсешенең бөтен чылбырын үз эченә ала, кисү, бизәү һәм махсус эшкәртү. Төп хезмәт өстенлекләренә:

Материаль төрлелек:Без 4H-N тибы, 4H-HPSI тибы, 4H / 6H-P тибы, 3C-N тибы кебек төрле вафер төрләрен тәкъдим итә алабыз. Каршылык, калынлык, юнәлеш таләпләргә туры китереп көйләнергә мөмкин.
?Эластик размерны үзләштерү:Без 2 дюймнан 12 дюймга кадәр диаметр эшкәртүне хуплыйбыз, шулай ук квадрат кисәкләр (мәсәлән, 5х5 мм, 10х10 мм) һәм тәртипсез призлар кебек махсус структураларны эшкәртә алабыз.
Оптик-класс төгәл контроль:Ваферның калынлыгы үзгәрү (TTV) <1μm, һәм Ra <0,3 nm температурада сакланырга мөмкин, дулкын саклагыч җайланмалар өчен нано дәрәҗәсендә яссылык таләпләренә туры килә.
Базарның тиз җавап бирүе:Интеграль бизнес-модель фәнни-тикшеренү эшләреннән массакүләм производствога эффектив күчүне тәэмин итә, кечкенә партия тикшерүеннән алып зур күләмле җибәрүгә кадәр (гадәттә 15-40 көн).

HPSI SiC Wafer сораулары

1 нче сорау: Ни өчен HPSI SiC AR дулкын линзалары өчен идеаль материал булып санала?
А1: Аның югары рефактив индексы (2.6–2.7) нечкә, эффектив дулкынландыргыч структураларга мөмкинлек бирә, алар "салават күпере эффектын" бетергәндә, зур мәйданга (мәсәлән, 70 ° –80 °) ярдәм итә.
2 нче сорау: HPSI SiC AI / AR стаканнарында җылылык белән идарә итүне ничек яхшырта?
А2: 490 Вт / м · К кадәр җылылык үткәрүчәнлеге белән (бакырга якын), ул микро-LED кебек компонентлардан җылылыкны эффектив тарата, тотрыклы эшне һәм җайланманың озын гомерен тәэмин итә.
3 нче сорау: HPSI SiC киеп була торган стакан өчен нинди ныклык өстенлекләрен тәкъдим итә?
A3: Аның гаҗәеп каты булуы (Mohs 9.5) өстен сызылуга каршы тора, аны кулланучылар дәрәҗәсендәге AR стаканнарында көндәлек куллану өчен ныклы итә.