P-тибындагы SiC ваферы 4H / 6H-P 3C-N 6инч калынлыгы 350 мм, төп яссы юнәлеш белән

P тибындагы SiC ваферы 4H / 6H-P 3C-N 6инч калынлыгы 350 мм, төп яссы юнәлешле үзенчәлекле рәсем белән

Кыска тасвирлау:

P тибындагы SiC ваферы, 4H / 6H-P 3C-N, калынлыгы 350 мм булган 6 дюймлы ярымүткәргеч материал һәм алдынгы электрон кушымталар өчен эшләнгән төп яссы юнәлеш. Highгары җылылык үткәрүчәнлеге, югары ватылу көчәнеше, экстремаль температурага һәм коррозив мохиткә каршы торуы белән билгеле, бу вафер югары җитештерүчән электрон җайланмалар өчен яраклы. P тибындагы допинг тишекләрне төп корылма йөртүче буларак кертә, аны электроника һәм RF кушымталары өчен идеаль итә. Аның нык структурасы югары көчәнешле һәм югары ешлыклы шартларда тотрыклы эшне тәэмин итә, аны электр җайланмалары, югары температуралы электроника һәм югары эффектив энергия конверсиясе өчен яраклы итә. Беренчел яссы ориентация җитештерү процессында төгәл тигезләнүне тәэмин итә, җайланма җитештерүдә эзлеклелек тәэмин итә.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Спецификация4H / 6H-P тибы SiC композит субстратлары Гомуми параметр таблицасы

6 дюйм диаметры Кремний Карбид (SiC) субстрат Спецификация

Сыйфат			Нуль MPD җитештерүСыйфат (З. Сыйфат)	Стандарт җитештерүСыйфат (Б. Сыйфат)	Dummy Grade (D Сыйфат)
Диаметр			145,5 мм ~ 150,0 мм
Калынлык			350 μm ± 25 μm
Вафер юнәлеше			-Offкүчәре: 4H / 6H-P өчен 2,0 ° -4.0 ° [1120] ± 0,5 °, күчәрендә: 3C-N өчен 〈111〉 ± 0,5 °
Микропип тыгызлыгы			0 см-2
Каршылык	p-тип 4H / 6H-P		≤0.1 Ωꞏсм		≤0.3 Ωꞏсм
	n-тип 3C-N		≤0.8 мΩꞏсм		≤1 м Ωꞏсм
Беренчел фатир юнәлеше		4H / 6H-P	-{1010} .0 5.0 °
		3C-N	-{110} ± 5.0 °
Беренчел фатир озынлыгы			32,5 мм ± 2,0 мм
Икенчел фатир озынлыгы			18,0 мм ± 2,0 мм
Икенчел фатир юнәлеше			Кремний йөзе: 90 ° CW. Премьер фатирыннан .0 5.0 °
Кыр читен чыгару			3 мм		6 мм
LTV / TTV / Bow / Warp			≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm		≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm
Тупаслык			Поляк Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0.2 nm		Ra≤0.5 nm
Highгары интенсивлык яктылыгы аркасында кыр ярыклары			Беркем дә юк		Кумулятив озынлыгы ≤ 10 мм, бер озынлыгы≤2 мм
Heгары интенсивлык яктылыгы белән алты тәлинкәләр			Кумулятив мәйдан ≤0.05%		Кумулятив мәйдан ≤0.1%
Polгары интенсивлык яктылыгында политип өлкәләре			Беркем дә юк		Кумулятив мәйдан ≤3%
Визуаль углерод кертүләре			Кумулятив мәйдан ≤0.05%		Кумулятив мәйдан ≤3%
Highгары интенсивлык яктылыгы белән кремний өслеге сызыклары			Беркем дә юк		Кумулятив озынлык≤1 × вафер диаметры
Кыр чиплары интенсивлык яктылыгы белән			None0.2 мм киңлек һәм тирәнлек рөхсәт ителмәгән		5 рөхсәт, һәрберсе ≤1 мм
Кремний өслеген югары интенсивлык белән пычрату			Беркем дә юк
Пакетлау			Күп ваферлы кассета яки бер вафин контейнер

Искәрмәләр:

※ Кимчелекләр чикләре читтән чыгару өлкәсеннән кала бөтен вафер өслегенә кагыла. # Сызыкларны Si йөзендә тикшерергә кирәк

P тибындагы SiC ваферы, 4H / 6H-P 3C-N, 6 дюйм зурлыгы һәм 350 мм калынлыгы белән, югары җитештерүчән электр электроникасының сәнәгать производствосында мөһим роль уйный. Аның искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары өзелү көчәнеше аны электр вагоннары, электр челтәрләре, яңартыла торган энергия системалары кебек югары температуралы шартларда кулланылган электр ачкычлары, диодлар һәм транзисторлар кебек компонентлар җитештерү өчен идеаль итә. Вафинның катлаулы шартларда эффектив эшләве югары энергия тыгызлыгын һәм энергия эффективлыгын таләп итә торган сәнәгать кушымталарында ышанычлы эшне тәэмин итә. Өстәвенә, аның төп яссы юнәлеше җайланма ясау вакытында төгәл тигезләнештә булыша, җитештерү нәтиҗәлелеген һәм продукт эзлеклелеген арттыра.

N тибындагы SiC составлы субстратларының өстенлекләре

Highгары җылылык үткәрүчәнлеге: P тибындагы SiC ваферлары җылылыкны эффектив тараталар, аларны югары температурада куллану өчен идеаль итә.
Breakгары өзелү көчәнеше: Highгары көчәнешләргә каршы тора ала, электр электроникасында һәм югары көчәнешле җайланмаларда ышанычлылыкны тәэмин итә.
Каты мохиткә каршы тору: Highгары температура һәм коррозив мохит кебек экстремаль шартларда искиткеч ныклык.
Эффектив энергия конверсиясе: P тибындагы допинг энергияне эффектив эшкәртүне җиңеләйтә, ваферны энергия конверсия системалары өчен яраклы итә.
Беренчел фатир юнәлеше: Manufacturingитештерү вакытында төгәл тигезләнүне тәэмин итә, җайланманың төгәллеген һәм эзлеклелеген яхшырта.
Нечкә структура (350 мм): Вафинның оптималь калынлыгы алдынгы, киңлек белән чикләнгән электрон җайланмаларга интеграцияләнүне тәэмин итә.

Гомумән алганда, P тибындагы SiC ваферы, 4H / 6H-P 3C-N, аны сәнәгать һәм электрон кушымталар өчен бик уңайлы итә торган өстенлекләр тәкъдим итә. Аның югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм өзелү көчәнеше югары температурада һәм югары көчәнешле шартларда ышанычлы эшләргә мөмкинлек бирә, шул ук вакытта каты шартларга каршы торуы ныклыкны тәэмин итә. P тибындагы допинг энергияне эффектив конверсияләргә мөмкинлек бирә, аны электроника һәм энергия системалары өчен идеаль итә. Өстәвенә, вафинның төп яссы юнәлеше җитештерү процессында төгәл тигезләнүне тәэмин итә, җитештерү эзлеклелеген арттыра. Калынлыгы 350 мм булганда, алдынгы, компакт җайланмаларга интеграцияләнү өчен бик яраклы.