English

SiC ваферы 4H-N 6H-N HPSI 4H-ярым 6H-ярым 4H-P 6H-P 3C тибы 2инч 3инч 4инч 6инч 8инч

SiC ваферы 4H-N 6H-N HPSI 4H-ярым 6H-ярым 4H-P 6H-P 3C тибы 2инч 3инч 4инч 6инч 8инч үзенчәлекле рәсем
  • SiC ваферы 4H-N 6H-N HPSI 4H-ярым 6H-ярым 4H-P 6H-P 3C тибы 2инч 3инч 4инч 6инч 8инч
  • SiC ваферы 4H-N 6H-N HPSI 4H-ярым 6H-ярым 4H-P 6H-P 3C тибы 2инч 3инч 4инч 6инч 8инч
  • SiC ваферы 4H-N 6H-N HPSI 4H-ярым 6H-ярым 4H-P 6H-P 3C тибы 2инч 3инч 4инч 6инч 8инч
  • SiC ваферы 4H-N 6H-N HPSI 4H-ярым 6H-ярым 4H-P 6H-P 3C тибы 2инч 3инч 4инч 6инч 8инч
  • SiC ваферы 4H-N 6H-N HPSI 4H-ярым 6H-ярым 4H-P 6H-P 3C тибы 2инч 3инч 4инч 6инч 8инч
  • SiC ваферы 4H-N 6H-N HPSI 4H-ярым 6H-ярым 4H-P 6H-P 3C тибы 2инч 3инч 4инч 6инч 8инч

Кыскача тасвирлама:

Без югары сыйфатлы SiC (Кремний карбиды) пластиналарының төрле сайлавын тәкъдим итәбез, аеруча N-типтагы 4H-N һәм 6H-N пластиналарына игътибар итәбез, алар алдынгы оптоэлектроника, көч җайланмалары һәм югары температуралы мохиттә куллану өчен идеаль. Бу N-типтагы пластиналар үзләренең гаҗәеп җылы үткәрүчәнлеге, искиткеч электр тотрыклылыгы һәм гаҗәеп ныклыгы белән билгеле, бу аларны көч электроникасы, электр транспорт чаралары йөртү системалары, яңартыла торган энергия инверторлары һәм сәнәгать электр белән тәэмин итү кебек югары җитештерүчән кушымталар өчен идеаль итә. N-типтагы тәкъдимнәребездән тыш, без шулай ук ​​югары ешлыклы һәм РФ җайланмалары, шулай ук ​​фотоник куллану өчен махсус ихтыяҗлар өчен P-типтагы 4H/6H-P һәм 3C SiC пластиналарын да тәкъдим итәбез. Безнең пластиналар 2 дюймнан 8 дюймга кадәр зурлыкта бар, һәм без төрле сәнәгать тармакларының махсус таләпләренә туры килә торган махсус чишелешләр тәкъдим итәбез. Тулырак мәгълүмат яки сораулар өчен, зинһар, безнең белән элемтәгә керергә курыкмагыз.


Үзенчәлекләр

Үзлекләр

4H-N һәм 6H-N (N-типтагы SiC пластиналары)

Кушымта:Нигездә, көч электроникасында, оптоэлектроникада һәм югары температуралы кушымталарда кулланыла.

Диаметр диапазоны:50,8 мм - 200 мм.

Калынлыгы:350 мкм ± 25 мкм, калынлыгы 500 мкм ± 25 мкм булырга мөмкин.

Каршылык:N-тип 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·см (Z-дәрәҗә), ≤ 0.3 Ω·см (P-дәрәҗә); N-тип 3C-N: ≤ 0.8 мΩ·см (Z-дәрәҗә), ≤ 1 мΩ·см (P-дәрәҗә).

Тупаслык:Ra ≤ 0,2 нм (CMP яки MP).

Микроторба тыгызлыгы (MPD):< 1 дана/см².

TTV: барлык диаметрлар өчен ≤ 10 мкм.

Варп: ≤ 30 мкм (8 дюймлы пластиналар өчен ≤ 45 мкм).

Кырдан чыгару:пластина төренә карап, 3 мм дан 6 мм га кадәр.

Упаковка:Күп вафлилы кассета яки бер вафлилы савыт.

3 дюймлы, 4 дюймлы, 6 дюймлы, 8 дюймлы зурлыктагылары бар

HPSI (Югары сафлыклы ярымизоляцияле SiC пластиналары)

Кушымта:Югары каршылык һәм тотрыклы эшләү таләп итә торган җайланмалар, мәсәлән, радиоешлык җайланмалары, фотоник кушымталар һәм сенсорлар өчен кулланыла.

Диаметр диапазоны:50,8 мм - 200 мм.

Калынлыгы:Стандарт калынлыгы 350 мкм ± 25 мкм, 500 мкм га кадәр калынрак пластиналар өчен вариантлар бар.

Тупаслык:Ra ≤ 0,2 нм.

Микроторба тыгызлыгы (MPD): ≤ 1 дана/см².

Каршылык:Югары каршылыклы, гадәттә ярымизоляция кушымталарында кулланыла.

Варп: ≤ 30 мкм (кечкенәрәк зурлыклар өчен), зуррак диаметрлар өчен ≤ 45 мкм.

TTV: ≤ 10 мкм.

3 дюймлы, 4 дюймлы, 6 дюймлы, 8 дюймлы зурлыктагылары бар

4H-P、6H-P&3C SiC пластинасы(P-типтагы SiC пластиналары)

Кушымта:Нигездә, көч һәм югары ешлыклы җайланмалар өчен.

Диаметр диапазоны:50,8 мм - 200 мм.

Калынлыгы:350 мкм ± 25 мкм яки шәхси вариантлар.

Каршылык:P-тип 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·см (Z-дәрәҗә), ≤ 0.3 Ω·см (P-дәрәҗә).

Тупаслык:Ra ≤ 0,2 нм (CMP яки MP).

Микроторба тыгызлыгы (MPD):< 1 дана/см².

TTV: ≤ 10 мкм.

Кырдан чыгару:3 мм - 6 мм.

Варп: Кечерәк үлчәмнәр өчен ≤ 30 мкм, зуррак үлчәмнәр өчен ≤ 45 мкм.

3 дюймлы, 4 дюймлы, 6 дюймлы зурлыкта бар5×5 10×10

Өлешчә мәгълүмат параметрлары таблицасы

Милек

2 дюйм

3 дюйм

4 дюйм

6 дюйм

8 дюйм

Төре

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SMI

Диаметр

50,8 ± 0,3 мм

76.2±0.3 мм

100±0.3 мм

150±0.3 мм

200 ± 0,3 мм

Калынлыгы

330 ± 25 мкм

350 ±25 мкм

350 ±25 мкм

350 ±25 мкм

350 ±25 мкм

350±25 мкм;

500±25 мкм

500±25 мкм

500±25 мкм

500±25 мкм

яки махсуслаштырылган

яки махсуслаштырылган

яки махсуслаштырылган

яки махсуслаштырылган

яки махсуслаштырылган

Тупаслык

Ra ≤ 0.2 нм

Ra ≤ 0.2 нм

Ra ≤ 0.2 нм

Ra ≤ 0.2 нм

Ra ≤ 0.2 нм

Варп

≤ 30 мкм

≤ 30 мкм

≤ 30 мкм

≤ 30 мкм

≤45 мкм

TTV

≤ 10 мкм

≤ 10 мкм

≤ 10 мкм

≤ 10 мкм

≤ 10 мкм

Скрэтч/Казу

CMP/MP

MPD

<1ea/см-2

<1ea/см-2

<1ea/см-2

<1ea/см-2

<1ea/см-2

Форма

Түгәрәк, яссы 16 мм; озынлыгы 22 мм; озынлыгы 30/32.5 мм; озынлыгы 47.5 мм; УЯУ; УЯУ;

Конус

45°, ярым-ярым спецификацияле; C формасында

 Дәрәҗә

MOS&SBD өчен җитештерү дәрәҗәсе; Тикшеренү дәрәҗәсе; Макет дәрәҗәсе, Орлык вафли дәрәҗәсе

Искәрмәләр

Диаметры, калынлыгы, юнәлеше, югарыдагы спецификацияләрне сезнең соравыгыз буенча көйләргә мөмкин

 

Кушымталар

·Көч электроникасы

N типтагы SiC пластиналары югары көчәнеш һәм югары ток белән эш итә алу сәләте аркасында көч электрон җайланмаларында бик мөһим. Алар гадәттә яңартыла торган энергия, электр машиналары һәм сәнәгать автоматизациясе кебек тармаклар өчен көч үзгәрткечләрендә, инверторларда һәм мотор приводларында кулланыла.

· Оптоэлектроника
N тибындагы SiC материаллары, бигрәк тә оптоэлектрон кушымталар өчен, яктылык чыгаручы диодлар (LED) һәм лазер диодлары кебек җайланмаларда кулланыла. Аларның югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм киң зона аралыгы аларны югары җитештерүчән оптоэлектрон җайланмалар өчен идеаль итә.

·Югары температуралы кушымталар
4H-N 6H-N SiC пластиналары югары температуралы мохит өчен, мәсәлән, югары температураларда җылылык таралуы һәм тотрыклылыгы бик мөһим булган аэрокосмик, автомобиль һәм сәнәгать кушымталарында кулланыла торган сенсорлар һәм көч җайланмалары өчен бик яраклы.

·Радиоелемтәләр җайланмалары
4H-N 6H-N SiC пластиналары югары ешлык диапазоннарында эшли торган радиоешлыклы (RF) җайланмаларда кулланыла. Алар элемтә системаларында, радар технологияләрендә һәм юлдаш элемтәсендә кулланыла, анда югары энергия нәтиҗәлелеге һәм җитештерүчәнлек таләп ителә.

·Фотоник кушымталар
Фотоника өлкәсендә SiC пластиналары фотодетекторлар һәм модуляторлар кебек җайланмалар өчен кулланыла. Материалның уникаль үзлекләре аңа оптик элемтә системаларында һәм сурәтләү җайланмаларында яктылык генерацияләүдә, модуляцияләүдә һәм детекторлауда нәтиҗәле булырга мөмкинлек бирә.

·Сенсорлар
SiC пластиналары төрле сенсор кушымталарында, аеруча башка материаллар эшләмәскә мөмкин булган каты мохиттә кулланыла. Алар арасында температура, басым һәм химик сенсорлар бар, алар автомобиль, нефть һәм газ, әйләнә-тирә мохитне күзәтү кебек өлкәләрдә бик мөһим.

·Электромобиль йөртү системалары
SiC технологиясе электромобильләрдә мөһим роль уйный, чөнки ул йөртү системаларының нәтиҗәлелеген һәм эшчәнлеген яхшырта. SiC көч ярымүткәргечләре белән электромобильләр батареяның гомерен озайта, зарядка вакытын тизләтә һәм энергия нәтиҗәлелеген арттыра ала.

·Алдынгы сенсорлар һәм фотоник үзгәрткечләр
Алдынгы сенсор технологияләрендә SiC пластиналары робототехника, медицина җайланмалары һәм әйләнә-тирә мохитне күзәтү өлкәсендә куллану өчен югары төгәллекле сенсорлар булдыру өчен кулланыла. Фотоник үзгәрткечләрдә SiC үзлекләре электр энергиясен оптик сигналларга нәтиҗәле әйләндерү өчен кулланыла, бу телекоммуникация һәм югары тизлекле интернет инфраструктурасында бик мөһим.

Сорау-җавап

Q4H SiC эчендә 4H ​​нәрсә ул?
A4H SiC'тагы "4H" кремний карбидының кристалл структурасын, аерым алганда, дүрт катламлы (H) алты почмаклы форманы аңлата. "H" алты почмаклы политип төрен күрсәтә, аны 6H яки 3C кебек башка SiC политипларыннан аерып тора.

Q4H-SiC ның җылылык үткәрүчәнлеге нинди?
A4H-SiC (Кремний карбиды) җылылык үткәрүчәнлеге бүлмә температурасында якынча 490-500 Вт/м·К тәшкил итә. Бу югары җылылык үткәрүчәнлеге аны энергия электроникасында һәм югары температуралы мохиттә куллану өчен идеаль итә, анда нәтиҗәле җылылык тарату бик мөһим.

  • Алдагысы:
  • Киләсе:

    • Бәйле продуктлар

    Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез
    Эзләү өчен Enter төймәсенә яки ябу өчен ESC төймәсенә басыгыз