SiC кремний карбид ваферы SiC ваферы 4H-N 6H-N HPSI （purгары чисталык ярым изоляцион） 4H / 6H-P 3C -n тип 2 3 4 6 8инч бар
Сыйфатлар
4H-N һәм 6H-N (N тибындагы SiC Wafers)
Кушымта:Беренче чиратта электр электроникасында, оптоэлектроникада һәм югары температурада кулланыла.
Диаметр диапазоны:50,8 мм - 200 мм.
Калынлык:350 μm ± 25 μm, өстәмә калынлыгы 500 μm ± 25 μm.
Каршылык:N-тип 4H / 6H-P: ≤ 0,1 Ω · см (З-класс), ≤ 0,3 Ω · см (П-класс); N-тип 3C-N: ≤ 0,8 мΩ · см (З-класс), ≤ 1 мΩ · см (П-класс).
Төгәллек:Ра ≤ 0,2 нм (CMP яки MP).
Микропип тыгызлыгы (MPD):<1 ea / cm².
TTV: Барлык диаметрлар өчен ≤ 10 μm.
Сугыш: ≤ 30 μm (8 дюймлы ваферлар өчен ≤ 45 μm).
Кыр читеннән чыгару:Вафин төренә карап 3 мм - 6 мм.
Пакетлау:Күп ваферлы кассета яки бер вафер контейнер.
Охтер зурлыгы 3инч 4инч 6инч 8инч
HPSI (Pгары чисталык ярым изоляцион SiC Wafers)
Кушымта:Resistanceгары каршылык һәм тотрыклы эш таләп итә торган җайланмалар өчен кулланыла, мәсәлән, RF җайланмалары, фотоник кушымталар, сенсорлар.
Диаметр диапазоны:50,8 мм - 200 мм.
Калынлык:Стандарт калынлыгы 350 μm ± 25 μm, калын вафер вариантлары белән 500 мм га кадәр.
Төгәллек:Ра ≤ 0,2 нм.
Микропип тыгызлыгы (MPD): ≤ 1 ea / cm².
Каршылык:Resistanceгары каршылык, гадәттә ярым изоляцион кушымталарда кулланыла.
Сугыш: ≤ 30 μm (кечерәк зурлыклар өчен), зуррак диаметрлар өчен ≤ 45 μm.
TTV: ≤ 10 мм.
Охтер зурлыгы 3инч 4инч 6инч 8инч
4H-P、6H-P&3C SiC вафин(P тибындагы SiC Wafers)
Кушымта:Беренче чиратта көч һәм югары ешлыклы җайланмалар өчен.
Диаметр диапазоны:50,8 мм - 200 мм.
Калынлык:350 μm ± 25 μm яки махсуслаштырылган вариантлар.
Каршылык:P-тип 4H / 6H-P: ≤ 0,1 Ω · см (Z-класс), ≤ 0,3 Ω · см (П-класс).
Төгәллек:Ра ≤ 0,2 нм (CMP яки MP).
Микропип тыгызлыгы (MPD):<1 ea / cm².
TTV: ≤ 10 мм.
Кыр читеннән чыгару:3 мм - 6 мм.
Сугыш: Кечкенә үлчәмнәр өчен ≤ 30 μm, зуррак зурлыклар өчен ≤ 45 μm.
Охтер зурлыгы 3инч 4инч 6инч5×5 10×10
Өлешчә мәгълүмат параметрлары таблицасы
| Милек | 2 дюйм | 3инч | 4инч | 6инч | 8инч | |||
| Тип | 4H-N / HPSI / | 4H-N / HPSI / | 4H-N / HPSI // 4H / 6H-P / 3C; | 4H-N / HPSI // 4H / 6H-P / 3C; | 4H-N / HPSI / 4H-SEMI | |||
| Диаметр | 50,8 ± 0,3 мм | 76,2 ± 0,3 мм | 100 ± 0,3 мм | 150 ± 0,3 мм | 200 ± 0,3 мм | |||
| Калынлык | 330 ± 25 см | 350 ± 25 см | 350 ± 25 см | 350 ± 25 см | 350 ± 25 см | |||
| 350 ± 25ум ； | 500 ± 25ум | 500 ± 25ум | 500 ± 25ум | 500 ± 25ум | ||||
| яки көйләнгән | яки көйләнгән | яки көйләнгән | яки көйләнгән | яки көйләнгән | ||||
| Тупаслык | Ра ≤ 0,2нм | Ра ≤ 0,2нм | Ра ≤ 0,2нм | Ра ≤ 0,2нм | Ра ≤ 0,2нм | |||
| Сугыш | ≤ 30ум | ≤ 30ум | ≤ 30ум | ≤ 30ум | ≤45ум | |||
| TTV | ≤ 10ум | ≤ 10ум | ≤ 10ум | ≤ 10ум | ≤ 10ум | |||
| Сызу / казу | CMP / MP | |||||||
| MPD | <1ea / см-2 | <1ea / см-2 | <1ea / см-2 | <1ea / см-2 | <1ea / см-2 | |||
| Форма | Түгәрәк, яссы 16 мм length озынлыгы 22 мм; Озынлыгы 30 / 32,5 мм; Озынлыгы 47,5 мм; Искәрмә; Искәрмә; | |||||||
| Бевел | 45 °, SEMI спек; С формасы | |||||||
| Сыйфат | MOS & SBD өчен җитештерү дәрәҗәсе; Тикшеренү дәрәҗәсе; Думми класс, Орлык вафаты Сыйфат | |||||||
| Искәрмәләр | Диаметр, калынлык, юнәлеш, югарыдагы спецификацияләр сезнең соравыгыз буенча көйләнергә мөмкин | |||||||
Кушымталар
·Электроника
N тибындагы SiC ваферлары югары көчәнеш һәм югары ток белән эш итү мөмкинлеге аркасында электрон җайланмаларда бик мөһим. Алар гадәттә энергия конвертерларында, инвертерларда, яңартыла торган энергия, электр машиналары, сәнәгать автоматизациясе кебек тармакларда кулланыла.
· Оптоэлектроника
N тибындагы SiC материаллары, аеруча оптоэлектрон кушымталар өчен, яктылык җибәрүче диодлар (LED) һәм лазер диодлары кебек җайланмаларда кулланыла. Аларның югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм киң тасма аларны югары җитештерүчән оптоэлектрон җайланмалар өчен идеаль итә.
·Temгары температуралы кушымталар
4H-N 6H-N SiC ваферлары югары температуралы мохит өчен бик яраклы, мәсәлән, аэрокосмос, автомобиль һәм сәнәгать кушымталарында кулланылган сенсорлар һәм электр приборлары, җылылыкның таралуы һәм югары температурада тотрыклылык бик мөһим.
·RF җайланмалары
4H-N 6H-N SiC ваферлары югары ешлык диапазонында эшләүче радио ешлыклы (RF) җайланмаларда кулланыла. Алар элемтә системаларында, радар технологияләрендә, спутник элемтәләрендә кулланыла, монда югары энергия эффективлыгы һәм эш башкару кирәк.
·Фотоник кушымталар
Фотоникада SiC ваферлары фотодетекторлар һәм модульаторлар кебек җайланмалар өчен кулланыла. Материалның уникаль үзенчәлекләре аңа яктылык җитештерүдә, модуляциядә, оптик элемтә системаларында һәм сурәтләү җайланмаларында эффектив булырга мөмкинлек бирә.
·Сенсорлар
SiC ваферлары төрле сенсор кушымталарында кулланыла, аеруча каты материалларда, башка материаллар уңышсыз булырга мөмкин. Аларга температура, басым, химик сенсорлар керә, алар автомобиль, нефть һәм газ, әйләнә-тирә мохит мониторингы кебек өлкәләрдә мөһим.
·Электр машиналарын йөртү системалары
SiC технологиясе саклагыч системаларының эффективлыгын һәм эффективлыгын күтәреп электр машиналарында мөһим роль уйный. SiC электр ярымүткәргечләре ярдәмендә электр машиналары батареяның яхшырак яшәвенә, зарядка тизлегенә һәм энергиянең эффективлыгына ирешә ала.
·Алга киткән сенсорлар һәм фотоник конвертерлар
Алга киткән сенсор технологияләрендә SiC ваферлары робототехника, медицина җайланмалары һәм әйләнә-тирә мохит мониторингында куллану өчен югары төгәл сенсорлар булдыру өчен кулланыла. Фотоник конвертерларда SiC үзлекләре электр энергиясен оптик сигналларга эффектив конверсияләү өчен кулланыла, бу телекоммуникациядә һәм югары тизлекле интернет инфраструктурасында мөһим.
Сораулар
Q4 4H SiC'та 4H нәрсә ул?
A4H SiC ： "4H" кремний карбидының кристалл структурасын аңлата, дүрт катламлы (H) алты почмаклы форма. "H" алты почмаклы политип төрен күрсәтә, аны 6H яки 3C кебек башка SiC политипларыннан аерып тора.
Q4 4H-SiC җылылык үткәрүчәнлеге нинди?
A: 4H-SiC (Кремний Карбид) җылылык үткәрүчәнлеге бүлмә температурасында якынча 490-500 Ватт / м · К. Бу югары җылылык үткәрүчәнлеге аны электроника һәм югары температура шартларында куллану өчен идеаль итә, монда җылылыкның эффектив таралуы бик мөһим.
